在電子模擬中，組件值始終被認(rèn)為是固定的。有時(shí)設(shè)計(jì)人員希望更改這些值以嘗試和測試不同的電路行為。其他時(shí)候，有必要考慮相同的值可能會(huì)發(fā)生變化的事實(shí)，因?yàn)椴⒎敲總€(gè)電子元件都是理想的。市場提供了許多相同電子元件的示例，但在給定公差內(nèi)具有不同的值。讓我們看看如何使用蒙特卡羅分析來模擬這些值的變化。
蒙特卡羅分析
此過程執(zhí)行大量模擬，其中每個(gè)組件的值連續(xù)隨機(jī)變化。
讓我們從一個(gè)非常簡單的例子開始
圖 1中的圖表顯示了一個(gè)典型的 RC 電路，其中電容器充電的時(shí)間取決于時(shí)間常數(shù)。準(zhǔn)確地說，RC秒后電壓達(dá)到電源電壓的63%左右。在這種情況下，電容器兩端的電壓恰好在 1000 * 100E-6 秒后為 6.32 V。
在這個(gè)示例方案中我們假設(shè)所有組件的值都是理想的，即：
電源電壓V1為10V；電阻R1為1000歐姆；電容器 C1 的容量為 100 微法拉。
由于所有組件都有理想值，因此即使生成的圖形也是理想的，并且沒有考慮可能的異常或變化。市場提供公差為 1%、5%、10% 等的電阻器。甚至電容器也可能具有偏離極板數(shù)據(jù)的特性，容差約為 20% 或更多。由于各種原因，電池可能會(huì)經(jīng)歷電壓降低或升高。由于所有這些原因，設(shè)計(jì)人員需要獲得一個(gè)“更真實(shí)”的圖表，該圖表考慮到所用組件價(jià)值的實(shí)際變化，使仿真行為更接近真實(shí)系統(tǒng)的行為。這就是為什么我們真的希望組件的價(jià)值不是理想的而是真實(shí)的，具有以下公差：
電池 V1：10 V，容差為 2%；電阻器 R1：1000 歐姆，容差為 10%；電容器 C1：100 微法，容差為 25%。
這意味著，實(shí)際上，所使用的電子元件可以采用以下值范圍：
電池 V1：電壓在 9.8 V 和 10.2 之間；電阻R1：阻值在900 Ohm和1100 Ohm之間；電容器 C1：容量在 75 微法和 125 微法之間。
這些變化顯然是同時(shí)發(fā)生的。組合的可能值在理論上是無限的，但設(shè)計(jì)人員需要在公差提供的自然范圍內(nèi)觀察具有盡可能多變化的電容器電荷圖。功能：
mc（值，公差）
隨機(jī)生成 x * (1 + y) 和 x * (1-y) 之間的隨機(jī)值，在公差范圍內(nèi)指定，分布均勻。LTspice 接線圖中包含的指南如下：
.param 電壓 = mc (10.2 / 100)
.param 阻力 = mc (1000,10 / 100)
.param 電容 = mc (100u, 25/100)
.step 參數(shù) 模擬 1 100 1
.meas TRAN V_Batt PARAM 電壓
.meas TRAN R_Res PARAM 電阻
.meas TRAN C_Cap PARAM 電容
.meas TRAN RC PARAM 電阻 * 電容
方案仿真（如圖2所示) 執(zhí)行一百次。它為每個(gè)組件生成一百個(gè)不同的值。建議仔細(xì)觀??察圖表，組件的值和指令，以深入了解程序并能夠繼續(xù)閱讀文章。正如您這次看到的那樣，該圖包括幾條曲線，對(duì)應(yīng)于電容器上不斷增加的電壓，具有一百個(gè)不同的元件值。執(zhí)行的模擬越多，最終曲線就越真實(shí)，請記住，模擬時(shí)間與執(zhí)行的步驟數(shù)成正比。有時(shí)，如果電路極其復(fù)雜且由許多組件組成，則模擬器需要很長時(shí)間來執(zhí)行數(shù)學(xué)計(jì)算。
在下表中，您將找到程序生成的百電壓、電阻和容量的一些值。顯然，這些是軟件生成的隨機(jī)值，因此，對(duì)于進(jìn)一步的模擬，它們總是不同的。
以下結(jié)果顯示了隨機(jī)生成量的最小值和最大值，參考了一百次模擬：
電池V1產(chǎn)生的最小蒙特卡羅電壓：9.80065 V產(chǎn)生的最大蒙特卡羅電壓：10.1999 V電阻R1最小蒙特卡洛歐姆值：901.75 Ohm最大蒙特卡洛歐姆值：1099.36 Ohm電容器C1最小蒙特卡洛容量：75.0626 uF最大蒙特卡洛容量：124,759 uF時(shí)間常數(shù) RC最小“t”：0.069559 秒最大“t”：0.13325 秒
在圖 3中，我們可以看到電容器電壓圖中發(fā)生的情況，恰好在 0.069559 秒和 0.13325 秒之間的時(shí)間間隔內(nèi)，執(zhí)行了 100 次蒙特卡羅模擬。組件在不同環(huán)境中的變化使我們了解它們?nèi)绾斡绊懞托薷碾娮与娐返男袨榧捌鋾r(shí)序。
使用 SiC 進(jìn)行蒙特卡羅模擬
在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中，最重要的功率損耗是由 ON 和 OFF 開關(guān)轉(zhuǎn)換引起的。損耗與開關(guān)頻率和寄生電容值成正比。用于開關(guān)的SiC MOSFET至關(guān)重要，尤其是 Rds (ON) 參數(shù)和開關(guān)速度。圖 4所示的升壓轉(zhuǎn)換器由以下組件組成：
一個(gè) 13 V 發(fā)電機(jī) V1，可以是電池或光伏板；一個(gè) 2 mH 電感器；UF3C065080T3S 碳化硅 MOSFET；功率肖特基二極管；50 歐姆負(fù)載。
該升壓轉(zhuǎn)換器以 f = 10 kHz 的開關(guān)頻率工作。
這些組件不是真實(shí)的，因此我們可以很容易地承認(rèn)以下公差：
V1：+/- 20%C1：+/- 25%L1：+/- 15%C2：+/- 25%R1：+/- 5%溫度：+/- 30%
圖中要包含的 SPICE 指令和命令如下：
.param 電壓 = mc (13.20 / 100)
.param Cap1 = mc (10u, 25/100)
.param 電感 = mc (2m, 15/100)
.param Cap2 = mc (100u, 25/100)
.param 負(fù)載 = mc (50.5 / 100)
.param T = mc (27.30 / 100)
.temp {T}
.step 參數(shù) 模擬 1 10 1
.meas TRAN V_Batt PARAM 電壓
.meas TRAN Capacitor1 PARAM Cap1
.meas TRAN 電感 PARAM Induct
.meas TRAN Capacitor2 PARAM Cap2
.meas TRAN 電阻 PARAM 負(fù)載
.meas TRAN 溫度參數(shù) T
對(duì)于一個(gè)簡短但全面的模擬，我們僅提供了十個(gè)在各自容差范圍內(nèi)的隨機(jī)值。請記住，模擬次數(shù)越多，最終結(jié)果就越好。在圖 5中我們可以看到十種不同運(yùn)行條件的模擬，持續(xù)了大約 15 分鐘，并在 1.3 Gb 的硬盤上生成了一個(gè)臨時(shí)文件。下表顯示了蒙特卡洛方法生成的組件的值，在任何情況下都在聲明的公差范圍內(nèi)。
圖 5：升壓轉(zhuǎn)換器行為的蒙特卡羅模擬，顯示負(fù)載上的電壓取決于電子元件的不同值
結(jié)論
通過適當(dāng)?shù)牟僮鳎€可以隨機(jī)改變其他參數(shù)，例如 Sic MOSFET 的 Rds (ON)、工作頻率等。計(jì)算機(jī)電子模擬通常是完美且無錯(cuò)誤的，尤其是在指定唯一且準(zhǔn)確的值時(shí)。使用蒙特卡羅方法，測試的真實(shí)因素增加了，因此電路的行為更接近真實(shí)的行為。使用這種方法，當(dāng)電子元件的值處于允許的最小和最大極值時(shí)，可以觀察系統(tǒng)的行為。
