反射電壓高了,導(dǎo)致在輸入電壓高端時MOS的電壓高了

不會吧,我用的是650V管子,匝比是20:12,我懷疑是變壓器瞬間飽和了.

變壓器設(shè)計的問題吧,你再好好計算一下,應(yīng)該不是過壓而是過流

你那變壓器是怎么設(shè)計的
輸入電壓怎么取400伏來算? 占空比? 為什么?
好像帶PFC 的變壓器 算法不一樣???

輸入電壓85-264V,沒有PFC.

多半是變壓器飽和

這與開關(guān)電源的頻率有關(guān)吧,原來因為線圈溫度太高,才改頻率,并把線徑加粗的,溫度問題解決了,把溫度轉(zhuǎn)移到MOS上了,但是有塊板出現(xiàn)炸機(jī)現(xiàn)象了.

初級圈數(shù)少了,變壓器飽和

110uH感值可能低了,原邊感值必須要滿足在最大輸入電壓滿載情況下,磁芯不能飽和!
另外,你變壓器的變比是多少?

變壓器的電感量太小,至少也要500uH.
電感量小了對MOS管的沖擊很大,高壓輸入時就更是了,
你的電源輸出率又不是很大,才100W
我有一款數(shù)字功率電源峰值功率都去到了7A,也是用EI-33的,我的電感是600uH.
而且在相同的情況下,電感較小時,變壓器的溫升還更高一點(diǎn).

樓主最好把D,S,G,的波形用示波器,抓出來給大家看看,好判斷一些.