滿載一般在15分鐘左右燒,燒時(shí)沒(méi)有聲音,且壞的管字表面也很好.
3854B典型電路,電感用鐵規(guī)鋁兩個(gè)57大的,電感量550UH,IGBT型號(hào)IRG49C50W兩個(gè)并聯(lián),頻率30K.
搞好幾天了實(shí)在沒(méi)辦法了,希望各位幫忙想想辦法啊?先謝了!
3000Wpfc老化燒功率管?請(qǐng)問(wèn)各位是啥原因?
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@zyhuang
zjhyln兄,你說(shuō)的還有就是高壓引到了驅(qū)動(dòng)部分,燒門極了?如果是這樣要怎么解決呢?
我做的電路也是,市電經(jīng)過(guò)調(diào)壓器(220-220)在接到電路,工作正常,但是直接接市電,沒(méi)有經(jīng)過(guò)調(diào)壓器,工作中卻出現(xiàn)一組柵極擊穿了,這個(gè)是什么原因??調(diào)壓器是自耦,沒(méi)有隔離啊,如果是隔離變壓器那還好解釋,起碼隔離干擾了,惟獨(dú)不同的是中間加了調(diào)壓器在輸出大功率時(shí),調(diào)壓器本身消耗了30V電壓,而直接接220V市電輸入基本不跌,
是什么原因?qū)е碌哪??
是什么原因?qū)е碌哪??
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@牽只螞蟻散步
IGBT太熱了吧,這么大功率散熱是個(gè)問(wèn)題,直接測(cè)測(cè)IGBT的溫度.千萬(wàn)不要測(cè)IGBT散散熱片的溫度.
zjhyln,lxj5567二位老兄對(duì)溫度很有見(jiàn)解,也較重視.我也來(lái)補(bǔ)充下.
這么大的功率,管子不發(fā)燙好象不大可能.你的散熱片才50度左右的溫度,沒(méi)有必要再加個(gè)風(fēng)扇了.個(gè)人認(rèn)為,你很可能是誤測(cè).建議你測(cè)試IGBT與散熱片的溫度,監(jiān)測(cè)溫度在15分鐘上升的過(guò)程,看看管子的熱是否有傳到散熱片上去.二點(diǎn)的溫差太大的話,很容易炸機(jī).要燒機(jī)時(shí)的溫度是最高的,不要燒啦管子后再去看溫度,這時(shí)的溫度已經(jīng)下降啦,至少下降20-30度.已經(jīng)不準(zhǔn)確啦.可以試用下我司產(chǎn)品(陶瓷傳熱片),傳熱快,短時(shí)間內(nèi)將熱傳遞到散熱片,保護(hù)你的管子.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1485691251375170.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
這么大的功率,管子不發(fā)燙好象不大可能.你的散熱片才50度左右的溫度,沒(méi)有必要再加個(gè)風(fēng)扇了.個(gè)人認(rèn)為,你很可能是誤測(cè).建議你測(cè)試IGBT與散熱片的溫度,監(jiān)測(cè)溫度在15分鐘上升的過(guò)程,看看管子的熱是否有傳到散熱片上去.二點(diǎn)的溫差太大的話,很容易炸機(jī).要燒機(jī)時(shí)的溫度是最高的,不要燒啦管子后再去看溫度,這時(shí)的溫度已經(jīng)下降啦,至少下降20-30度.已經(jīng)不準(zhǔn)確啦.可以試用下我司產(chǎn)品(陶瓷傳熱片),傳熱快,短時(shí)間內(nèi)將熱傳遞到散熱片,保護(hù)你的管子.

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@zyhuang
具體情況是這樣,在2500W時(shí)老化24小時(shí)都沒(méi)有問(wèn)題,如果再加500W就不到5分鐘就不行了,燒輸入保險(xiǎn),拆下管子表面完好,無(wú)損,用萬(wàn)用表測(cè)試DS端5K左右.
UC3854的開(kāi)關(guān)管和二極管都工作在硬開(kāi)關(guān)的狀態(tài),主要帶來(lái)以下問(wèn)題:
(1)開(kāi)通時(shí)開(kāi)關(guān)管的電流上升和電壓下降同時(shí)進(jìn)行,關(guān)斷時(shí)開(kāi)關(guān)管的電流下降和電壓上升同時(shí)進(jìn)行,使開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通和關(guān)斷損耗大;
(2)當(dāng)開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷時(shí),感性元件感應(yīng)出較大的尖峰電壓,有可能造成開(kāi)關(guān)管電壓擊穿;
(3)當(dāng)開(kāi)關(guān)器件開(kāi)通時(shí),開(kāi)關(guān)器件結(jié)電容中儲(chǔ)存的能量有可能引起開(kāi)關(guān)器件過(guò)熱損壞;
(4)二極管由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)存在反向恢復(fù)問(wèn)題,容易造成直流電源瞬間短路.
(1)開(kāi)通時(shí)開(kāi)關(guān)管的電流上升和電壓下降同時(shí)進(jìn)行,關(guān)斷時(shí)開(kāi)關(guān)管的電流下降和電壓上升同時(shí)進(jìn)行,使開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通和關(guān)斷損耗大;
(2)當(dāng)開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷時(shí),感性元件感應(yīng)出較大的尖峰電壓,有可能造成開(kāi)關(guān)管電壓擊穿;
(3)當(dāng)開(kāi)關(guān)器件開(kāi)通時(shí),開(kāi)關(guān)器件結(jié)電容中儲(chǔ)存的能量有可能引起開(kāi)關(guān)器件過(guò)熱損壞;
(4)二極管由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)存在反向恢復(fù)問(wèn)題,容易造成直流電源瞬間短路.
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UC3854的開(kāi)關(guān)管和二極管都工作在硬開(kāi)關(guān)的狀態(tài),主要帶來(lái)以下問(wèn)題: (1)開(kāi)通時(shí)開(kāi)關(guān)管的電流上升和電壓下降同時(shí)進(jìn)行,關(guān)斷時(shí)開(kāi)關(guān)管的電流下降和電壓上升同時(shí)進(jìn)行,使開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通和關(guān)斷損耗大; (2)當(dāng)開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷時(shí),感性元件感應(yīng)出較大的尖峰電壓,有可能造成開(kāi)關(guān)管電壓擊穿; (3)當(dāng)開(kāi)關(guān)器件開(kāi)通時(shí),開(kāi)關(guān)器件結(jié)電容中儲(chǔ)存的能量有可能引起開(kāi)關(guān)器件過(guò)熱損壞; (4)二極管由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)存在反向恢復(fù)問(wèn)題,容易造成直流電源瞬間短路.
http://bbs.dianyuan.com/topic/211995
看看這個(gè)貼子 也許對(duì)你有些幫助
看看這個(gè)貼子 也許對(duì)你有些幫助
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@zyhuang
具體情況是這樣,在2500W時(shí)老化24小時(shí)都沒(méi)有問(wèn)題,如果再加500W就不到5分鐘就不行了,燒輸入保險(xiǎn),拆下管子表面完好,無(wú)損,用萬(wàn)用表測(cè)試DS端5K左右.
1、占空比開(kāi)的過(guò)大導(dǎo)致拖尾時(shí)間過(guò)長(zhǎng),換相失敗.
2、電壓占空比重載損失超過(guò)臨界使得閉環(huán)PWM輸出異常.
3、磁性器件工作點(diǎn)偏離合理值過(guò)多.
建議,配合示波器看看動(dòng)態(tài)波形,先確定失效點(diǎn)再分析失效原因.
2、電壓占空比重載損失超過(guò)臨界使得閉環(huán)PWM輸出異常.
3、磁性器件工作點(diǎn)偏離合理值過(guò)多.
建議,配合示波器看看動(dòng)態(tài)波形,先確定失效點(diǎn)再分析失效原因.
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設(shè)計(jì)上使用IGBT有很大的問(wèn)題,兩只IGBT并聯(lián)表現(xiàn)更嚴(yán)重,我不清楚你是否知道IGBT在過(guò)流關(guān)閉時(shí)需要軟關(guān)閉?中然現(xiàn)在IGBT大部份可以不需要負(fù)壓關(guān)閉與在較高的頻率下工作,但在這種情況下采用兩只IGBT并聯(lián),如果關(guān)閉時(shí)間過(guò)慢那么發(fā)熱量增大,如果關(guān)閉時(shí)間太快那么會(huì)有一只管子關(guān)閉會(huì)落后于另外一只管子.
還有就是BOOST電感的設(shè)計(jì),不知為什么要選擇500uH,雖然工作于CCM模式有利于EMI與降低開(kāi)關(guān)管峰值電流,但太大的電感容易使磁芯飽和,一但出現(xiàn)飽和開(kāi)關(guān)管的峰值電流將會(huì)大大增加,也是導(dǎo)至開(kāi)關(guān)管損壞的一個(gè)重要因數(shù).
還有就是BOOST電感的設(shè)計(jì),不知為什么要選擇500uH,雖然工作于CCM模式有利于EMI與降低開(kāi)關(guān)管峰值電流,但太大的電感容易使磁芯飽和,一但出現(xiàn)飽和開(kāi)關(guān)管的峰值電流將會(huì)大大增加,也是導(dǎo)至開(kāi)關(guān)管損壞的一個(gè)重要因數(shù).
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@abing
設(shè)計(jì)上使用IGBT有很大的問(wèn)題,兩只IGBT并聯(lián)表現(xiàn)更嚴(yán)重,我不清楚你是否知道IGBT在過(guò)流關(guān)閉時(shí)需要軟關(guān)閉?中然現(xiàn)在IGBT大部份可以不需要負(fù)壓關(guān)閉與在較高的頻率下工作,但在這種情況下采用兩只IGBT并聯(lián),如果關(guān)閉時(shí)間過(guò)慢那么發(fā)熱量增大,如果關(guān)閉時(shí)間太快那么會(huì)有一只管子關(guān)閉會(huì)落后于另外一只管子.還有就是BOOST電感的設(shè)計(jì),不知為什么要選擇500uH,雖然工作于CCM模式有利于EMI與降低開(kāi)關(guān)管峰值電流,但太大的電感容易使磁芯飽和,一但出現(xiàn)飽和開(kāi)關(guān)管的峰值電流將會(huì)大大增加,也是導(dǎo)至開(kāi)關(guān)管損壞的一個(gè)重要因數(shù).
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@abing
設(shè)計(jì)上使用IGBT有很大的問(wèn)題,兩只IGBT并聯(lián)表現(xiàn)更嚴(yán)重,我不清楚你是否知道IGBT在過(guò)流關(guān)閉時(shí)需要軟關(guān)閉?中然現(xiàn)在IGBT大部份可以不需要負(fù)壓關(guān)閉與在較高的頻率下工作,但在這種情況下采用兩只IGBT并聯(lián),如果關(guān)閉時(shí)間過(guò)慢那么發(fā)熱量增大,如果關(guān)閉時(shí)間太快那么會(huì)有一只管子關(guān)閉會(huì)落后于另外一只管子.還有就是BOOST電感的設(shè)計(jì),不知為什么要選擇500uH,雖然工作于CCM模式有利于EMI與降低開(kāi)關(guān)管峰值電流,但太大的電感容易使磁芯飽和,一但出現(xiàn)飽和開(kāi)關(guān)管的峰值電流將會(huì)大大增加,也是導(dǎo)至開(kāi)關(guān)管損壞的一個(gè)重要因數(shù).
居然是IGBT并聯(lián)的結(jié)構(gòu)???那東西是負(fù)溫度系數(shù)的啊,一旦產(chǎn)生熱點(diǎn)就會(huì)過(guò)熱的.
這個(gè)……
換個(gè)mosfet試試不?
這個(gè)……
換個(gè)mosfet試試不?
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