關斷損耗太大了，可以算一下關斷損耗是不是超過mos的最大耗散功率了

可以試一下加個三極管接到G極與地之間，中間再串聯一個電阻調節關斷速度，低電平的時候讓三極管導通，使G極直接下拉到地，提高關斷速度減小關斷損耗

關斷速度太慢，來不及關斷就過流損壞MOS了。C7和C13根本就是多余，電容的殘余電荷只會延遲關斷。MOS驅動改為圖騰柱驅動或MOS驅動芯片才能改善。

MOS關斷速度太慢了，用圖騰柱驅動試試。

堵轉時的電流非常大，沒有及時的保護很容易過流燒管。運放速度慢，用LM393比較器試試。

采樣不用放大，放大有延時。直接進比較器就可以了。

可以教一下我怎么算嗎？

MOS有時候是G和D之間擊穿，有時候是D和S擊穿是跟關斷損耗有關系嗎？

圖騰柱我試過了的，還是會燒，請問我這個是什么導致關斷速度太慢了，如果硬件信號給出來了，軟件沒有及時關MOS，導致我這個電路一直處于關斷MOS，IN1-電平低于IN1+電平，然后358又輸出高電平導通三極管，后導通MOS的狀態，一直處于這個循環當中是否也會燒MOS管？

圖騰柱我試過了，還是會燒呢

我一開始就是用LM393，沒有經過放大，直接從比較器兩端比較后輸出給三極管的，還是會燒呢

我一開始就是直接進比較器的，還是會燒呢

菜鳥發表一下個人看法：

1、搞個600V的MOS管40A的MOS管替代以一下，如何還燒壞，則表示是熱損壞，不是電壓擊穿。

2、可以測試R26電流檢測電阻上的電壓，G級輸出低電壓時，電壓否為零，看mos管是否斷開。

3、R21斷開，換10K電阻接電源和GND，測試LM358放大和比較輸出驅動G級響應速度。

第3點沒懂呢？能解釋一下怎么測反應速度嗎？

把電流取樣電阻改大一點，測試電流波與MOS管DS波形，看是不是存在損耗區比較大

原理圖我看了，與MOS型號沒關系，主要還是過流保護延時引起的，3.6MS，時間太長了，意見：一，358不適合做過流，建議改成393；二，過流要快，中間不要加放大電路，加了會延時。一般電流檢測直接進過流保護，中間不加放大電路；3，時間從過流到393變低，時間做好控制在1US左右，否則堵轉就燒，這些是經驗。如果時間控制在1US左右還燒，我再給你方法；

設計的電路不對呀，電流反饋不對，想做好要用H橋。