CR5159TN 芯片特性：

CR5159TN是采用內(nèi)置650V高壓功率MOSFET，反激式PWM功率開(kāi)關(guān)；

內(nèi)置軟啟動(dòng)，減小MOSFET的應(yīng)力；

內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償電路，消除次諧波振蕩；

65kHz開(kāi)關(guān)頻率，具有頻率抖動(dòng)功能，使其具有良好的EMI特性；

全電壓輸入范圍，待機(jī)功耗:< 75mW；

具有“軟啟動(dòng)、OCP、SCP、OTP、OVP自動(dòng)恢復(fù)等保護(hù)功能；

電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、較少的外圍元器件，適用于小功率AC/DC電源適配器、充電器；

CR5159TN還提供VDD電壓從8.5V至36.5V更寬的工作范圍。

CR85V25RS芯片特性：

支持CCM&QR&DCM工作模式；

內(nèi)置85V功率MOS管；

可自供電，支持正端/負(fù)端應(yīng)用；

精確的外圍電路；

VCC欠壓保護(hù)；

最大支持150kHz工作頻率。

CR5159TN和CR85V25RS能適用于寬輸入電壓范圍，輸出功率27W方案，輸出9V3A的工程樣機(jī)。

該樣機(jī)大小73.8mm×36.8mm，AC264V輸入待機(jī)功耗<75mW，平均效率>87.3%，能夠滿(mǎn)足“能源之星 V2.0 VI 級(jí)能效”與歐洲 COCT2 標(biāo)準(zhǔn)；具有“OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO ”等多種保護(hù)功能；軟啟動(dòng)功能可以 減少系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)MOSFET的應(yīng)力，前沿消隱時(shí)間簡(jiǎn)化了系統(tǒng)應(yīng)用。通過(guò)頻率抖動(dòng)和軟驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，降低開(kāi)關(guān)噪聲，簡(jiǎn)化了EMI設(shè)計(jì)，CR5159TN還提供VDD電壓從8.5V至36.5V更寬的工作范圍。樣機(jī)的變壓器，采用了EE22加寬磁芯（PC95材質(zhì)），變壓器繞制工藝部分，請(qǐng)見(jiàn)后文詳細(xì)說(shuō)明。