SIC MOSFET是新興起的第三代半導體材料，是一種寬禁帶半導體（禁帶寬度＞2eV，而SI禁帶寬度僅為1.12eV），因其具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點，適用于高溫、高頻、大功率等應用場合。
特點
1:要求驅動器具有更高的門極峰值輸出電流、更高的dv/dt耐受能力。
2:要求驅動器的傳播延遲很低且抖動量很小，以便有效傳遞高開關頻率下的非常短的脈沖。
3:要求驅動器具有雙路輸出端口。
4:支持高開關頻率（開關頻率至少支持400KHz）
5:支持高安全隔離電壓
6: 3-5V的負壓關斷，開啟要18V-20V。(100W左右無須負壓關斷)
- 高達4A峰值驅動電流，-40~125度寬溫度范圍，通過AEC-Q100認證。
- 業界最高的抗擾性能（200kV/μs）和閂鎖免疫能力（400kV/μs），支持超快速開關。
- 最大60ns傳輸延遲，非常低的抖動200ps p-p，這里需要說明一下，傳輸延遲的影響因素與容耦隔離驅動芯片本身的副邊供電電壓VDDA/VDDB、負載電容、工作溫度均有關
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第三代半導體功率器件，碳化硅MOS管以其出色的高耐壓，低導通電阻，高工作頻率，耐高溫，抗輻射等優良性能，是開關電源，電機驅動等大功率領域的理想選擇。
以國內AST品牌碳化硅MOS為例。其量產碳化硅MOS管，單管耐壓最高可到3300v,導通電阻最小做到15毫歐，完成從650V，900V，1200V，1700V全系列產品線。產品大批出貨用于新能源汽車，工業電源及消費類領域。
實物