SP6649HF 是一顆電流模式 PWM 控制芯片，內置 650V 高壓功率 MOSFET，應用于功率在 30W 以內的方案。

SP6649HF 在 PWM 模式下工作于固定開關頻率，這個頻率是由內部精確設定。在空載或者輕載時，工作頻率由 IC 內部調整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。

SP6649HF 在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進一步減小待機時的功耗。芯片內置有斜坡補償電路，當電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發生，改善系統的穩定性。內置有前沿消隱時，消除緩沖網絡中的二極管反向恢復電流對電路的影響。

SP6649HF 采用了抖頻技術，能夠有效改善系統的 EMI 性能。系統的跳頻頻率設置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統產生噪音。SP6649HF 內置多種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通過內部的圖騰柱驅動結構可以更好的改善系統的 EMI 特性和開關的軟啟動控制.主要應用充電器，PDA、數碼相機、攝像機電源適配器，機頂盒電源，開放框架式開關電源，個人電腦輔助電。

SP6516F 是一顆高性能的開關電源次級側同步整流控制電路。在低壓大電流開關電源應用中，輕松滿足 6 級能效，是理想的超低導通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達 150kHz 的開關頻率應用，并且支持 CCM / QR / DCM 等開關電源工作模式應用，其極低導通壓降產生的損耗遠小于肖特基二極管的導通損耗，極大提高了系統的轉換效率，大幅降低了整流器件的溫度。

SP6516F芯片內置耐壓60V 的NMOSFET 同步整流開關，且具有極低的內阻，典型 RdsON 低至 11mΩ，可提供系統高達 3A 的應用輸出；還內置了高壓直接檢測技術，耐壓高達 200V；以及自供電技術極大擴展了輸出電壓應用范圍。