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  • MOS降低發熱功耗 除了并聯 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯雖然內阻可以減小，不過好像會影響同步的開關速度。不同步開關的話MOS可能就燒了

MOS降低發熱功耗 除了并聯 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯雖然內阻可以減小，不過好像會影響同步的開關速度。不同步開關的話MOS可能就燒了

MOS降低發熱功耗  除了并聯 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯雖然內阻可以減小，不過好像會影響同步的開關速度。不同步開關的話MOS可能就燒了MOS降低功耗
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stephon
LV.1
2
2020-11-23 18:31
有個問題啊，在高壓輸入準諧振中，是導通損耗大還是開關損耗大？
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2020-11-24 10:29
@stephon
有個問題啊，在高壓輸入準諧振中，是導通損耗大還是開關損耗大？

你分析下  

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msz181818
LV.9
4
2020-11-24 12:01
@stephon
有個問題啊，在高壓輸入準諧振中，是導通損耗大還是開關損耗大？
開關損耗大小是與管芯的節電容大小及開關頻率有關的
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stephon
LV.1
5
2020-11-24 19:17
@QWE4562009
你分析下 
個人認為在高壓輸入中，開關損耗等于MOSFET的輸出電容Coss存儲的能量，看到的高壓MOS這個電容都比較小在百納法以內，那導通損耗都是電流有效值平方乘導通電阻。且高壓MOS的導通電阻都比較大。那一般是導通損耗大于開關損耗，那這樣的話準諧振的效率在高壓輸入中應該不會太高吧？
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2020-11-25 18:30
@stephon
個人認為在高壓輸入中，開關損耗等于MOSFET的輸出電容Coss存儲的能量，看到的高壓MOS這個電容都比較小在百納法以內，那導通損耗都是電流有效值平方乘導通電阻。且高壓MOS的導通電阻都比較大。那一般是導通損耗大于開關損耗，那這樣的話準諧振的效率在高壓輸入中應該不會太高吧？

有具體的計算步驟嗎  

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