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力生美推出高性能內置65V低內阻MOS的同步整理系列支持多模式DCM/CRM/CCM

支持DCM/CRM/CCM多模式,耐壓65V,多款內阻可選,充分發揮整體性價比。

尤其適合PD20W系列應用,歡迎咨詢送樣

WX: icbanks

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2020-09-28 20:58
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2020-09-28 21:56
@利芯科技~icbanks
[圖片][圖片]

LN5S2X 內置了一個內阻低至 8mΩ的 65V 耐壓 MOSFET,其漏極從 5/6/7/8 腳引出到芯片外部,源極從 1/2 腳引出到芯片外部,5/6/7/81/2腳是芯片主要的散熱導出通道,應用中應保持良好的 5/6/7/81/2 腳與外部銅箔的連接,并使用足夠面積的銅箔必要時還應鍍錫處理,從而增強散熱能力,保持芯片溫度在合理的范圍。任意時刻還應確保 D 端到地的電壓不超過額定耐壓值,以免芯片過壓損壞;S端內部則已與GND端相連,應保持GND/S端與輸出電容或變壓器環路最小為佳。

應用中應保持合理的 PCB 布線方式,確保芯片相關連接引腳具有盡可能短的路徑,尤其芯片 D 端應與變壓器端子或電容之間保持最短連接,S 端應與輸出電容負端子或變壓器端子之間保持最短連接。如下圖所示。

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hao1855
LV.3
4
2020-09-29 08:15
@利芯科技~icbanks
LN5S2X內置了一個內阻低至8mΩ的65V耐壓MOSFET,其漏極從5/6/7/8腳引出到芯片外部,源極從1/2腳引出到芯片外部,5/6/7/8和1/2腳是芯片主要的散熱導出通道,應用中應保持良好的5/6/7/8和1/2腳與外部銅箔的連接,并使用足夠面積的銅箔必要時還應鍍錫處理,從而增強散熱能力,保持芯片溫度在合理的范圍。任意時刻還應確保D端到地的電壓不超過額定耐壓值,以免芯片過壓損壞;S端內部則已與GND端相連,應保持GND/S端與輸出電容或變壓器環路最小為佳。應用中應保持合理的PCB布線方式,確保芯片相關連接引腳具有盡可能短的路徑,尤其芯片D端應與變壓器端子或電容之間保持最短連接,S端應與輸出電容負端子或變壓器端子之間保持最短連接。如下圖所示。[圖片][圖片][圖片]
樓主你的,有沒有一款規格書和DM資料的介紹哈,若是方便的話,請上傳一下,謝謝了
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2020-10-11 10:07
@hao1855
樓主你的,有沒有一款規格書和DM資料的介紹哈,若是方便的話,請上傳一下,謝謝了
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