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GaN三電平逆變器驅(qū)動電路的設(shè)計

我想做一個GaN的三電平逆變器,對于驅(qū)動電路的設(shè)計,有些問題。三電平電路不想兩電平互補導(dǎo)通,存在鉗位環(huán)節(jié),半橋驅(qū)動電路就不可以了,就需要多個高邊驅(qū)動電路,高邊驅(qū)動芯片電路如何設(shè)計呢?我查到Si8275可以兩路都高邊驅(qū)動,根據(jù)它給出的電路感覺不是自舉升壓電路。是不是應(yīng)該在VDDA和C3之間串一個二極管?如果不是應(yīng)該怎么設(shè)計呢,希望得到大佬的指點。

sss

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2021-02-03 09:23
氮化鎵的驅(qū)動與MOS和IGBT完全不同,因為窮,沒玩過....
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2021-02-03 11:01
@dy-iBysWiwR
氮化鎵的驅(qū)動與MOS和IGBT完全不同,因為窮,沒玩過....
發(fā)展太快了,IGBT剛剛弄懂,碳化硅和氮化鎵就出來了
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余云淺
LV.1
4
2021-02-25 17:54
我要是沒有記錯的話,這個芯片不是自舉的,VCCA和VCCB需要單獨供電
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