大家好，能幫忙推導一下IGBT導通損耗的計算公式嗎，關鍵不是很理解為什么要乘以占空比，知道不乘占空比又不對，但是總是不能理解的很順暢，希望能幫忙嚴謹的推導一下
占空比*周期，是指電流流過IGBT對應的時間吧。
損耗可以看出P=UI。
http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/files/manuals/powermos3_0.pdf
這個文檔的3.9/3.10講了。
在網上找到了一篇國外的論文，詳細得講述了導通損耗的推導過程，我將該文檔上傳供大家學習，謝謝大家對該問題的關注！
/upload/community/2020/03/30/1585529034-38335.pdf
