大功率應用場景下，Module封裝的IGBT/MOSFET在驅動設計時一般都會通過檢測Vce/Vds端口電壓來做過流保護，但是對于分立型IGBT/MOSFET很少有做這一塊功能，請問一下這主要原因是什么？

個人理解的因素主要有下面兩點，不清楚是否全面

a) Module封裝的管子成本較高，所以需要更可靠的驅動保護電路，所以不會太在意增加此功能而額外多出來的成本；

b) 分立IGBT/MOSFET的扛電流沖擊能力較弱，尤其對于一些快速管子，當前的驅動IC來不及保護；