當高的dv/dt供給漏極時，在功率MOSFET中有一個電流傳導的可能性，在一些情況下，這可以損毀器件。下面給出一些由于dv/dt器件導通的實例。

（1）靜態dv/dt  

 1. 假導通    

2. 寄生晶體管導通

1. 在關斷狀態，漏極電壓的突然增加改變整個漏極和柵極之間的寄生電容，產生位移電流（a）C*dv/dt。如果由于位移電流和柵-源阻抗(Zgs)在柵極和源極之間形成的電壓超過Vgs(th)，它觸發一個假的MOSFET關斷。這里，漏極和柵極之間的寄生電容根據電路布線可以等于Cgd或比Cgd大。Zgs是驅動電路的阻抗，可以表示為R、L串聯的電路。由于假導通，器件進入一個電流導通狀態，在嚴重的情況下，在器件內形成高的功率耗散且造成毀壞性的失效。下列等式展示Zgs與Vgs間的關系，和在這個模式下dv/dt的性能。   

 Vgs = ZgsCgd(dv/dt)   

（dv/dt） = Vgs(th)/(ZgsCgd)

為了增加dv/dt的性能，應該使用一個低阻抗的柵極驅動電路，且Vgs(th)必須增大。但在一個低阻抗驅動電路中，成本較高且Vgs(th)的增大與Rds(on)的增大有關。當Vgs(th)具有負的溫度系數，假導通的可能性隨著溫度上升而增大。但通常來說，柵極電壓不會超過門限電壓，高的器件電阻會限制器件電流。因此，由于假導通導致的器件毀壞是罕見的。

2. 在關斷狀態，一個突然增加的漏極電壓改變整個Cdb的電壓，而且它形成流過Rb的電流(b)。當Rb的電壓超過Vbe（寄生雙極性晶體管導通時的射級-基極正向偏置電壓，大約為0.7V）時，寄生雙極性晶體管導通。當寄生雙極性晶體管導通，器件的擊穿電壓從BVcbo減小到BVceo，它是BVcbo的50%~60%。如果供給一個比BVceo大的漏極電壓，器件陷入雪崩擊穿。如果這個樓及電流沒有外部限制，器件會被二次擊穿損壞。下列等式表示在這個模式下dv/dt的性能。    (dv/dt) = Vbe/(RbCdb)從上述等式可以很容易發現dv/dt的性能由器件內部結構決定。對于高dv/dt性能，Rb值必須要小。這個可以通過增加P-body區域的參雜水平和盡量減小N+發射極的長度實現。Rb也會被漏極電壓影響，當漏極電壓增加，耗盡層擴大且加大Rb值。當溫度增加時，流動性減小而Rb增加和Vbe減小，寄生晶體管導通的可能性增大。但當基極和發射極通過源極接觸而短接時，Rb值很小。這個只在dv/dt異常大時才會發生。→在假導通時dv/dt可以被外部控制，但在寄生晶體管導通時，dv/dt是由器件的設計決定的。這是這兩個模式的區別。

（2）動態dv/dt如果有一個突然的電流中斷，例如在高速開關中的鉗位電感關斷，器件會被并發的應力損壞，這是由寄生電容的高漏極電流、高漏源電壓和位移電流造成的。

（3）二極管恢復dv/dt這是在特殊應用中dv/dt失效的主要原因，例如電路使用一個體漏二極管。數據收集給出了dv/dt的最大值。超過這個值將會造成由于二極管的過度恢復dv/dt的器件失效。下圖展示了一個電機控制電路應用，該應用有二極管恢復dv/dt的問題。

首先Q1和Q4導通，且進入一個電流i1通過的狀態。如果Q1關斷來控制電機速度則電流i2會流經Q3的寄生二極管（續流二極管）。Q3的寄生二極管進入正向偏置狀態，同時由于二極管的特性，少數電荷開始累積。當Q1通道，電流再次變回i1，在Q3的寄生二極管中積累的少數電荷被二極管反向恢復電流移除（如圖20a部分）。一旦少數電荷被移除到一個特定水平，體漏二極管的耗盡區擴大且產生更多的反向恢復電流（如圖20b部分）。如果這打開了寄生雙極性晶體管，則Q3會被損壞。圖20展示二極管恢復dv/dt測試電路和波形圖。從這個測試，不僅僅可以獲得dv/dt，而且可以獲得Vsd（二極管正向電壓）、trr（反向恢復時間）和Qrr（反向恢復電荷）的數據。測試里，Vdd值必須小于等于BVdss。通常Vdd設定為BVdss的80%，而且驅動器的Vgs脈沖周期必須控制以使Is可以變為連續的漏電流Id。

當Rg減小，di/dt和dv/dt值變大。首先，trr可以通過測量圖示中Is部分獲得，這里di/dt（從地電勢上的50%Ifm的點到地電勢下75%Irm的點之間測量）是100[A/us]。Qrr可以用(Irm*trr)/2計算。dv/dt可以從數據手冊中在di/dt條件下Vdd的10%~90%之間的點測量。Is（連續源極電流）和Ism（脈沖源極電流）表示源-漏二極管的額定電流，Is = Id（連續漏極電流），Ism = Idm（漏極脈沖電流）。