在大功率產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用中，單顆MOS管往往達(dá)不到需要的電流，此時(shí)我們需要把多顆MOS管并聯(lián)起來應(yīng)用，這樣很大的電流由多顆MOS管來分擔(dān)，單顆MOS管承擔(dān)的電流就比較小了，確保了器件安全穩(wěn)定地工作。但是如果應(yīng)用不當(dāng)，也會(huì)使多顆并聯(lián)的MOS管電流不均衡，甚至損壞某顆MOS管使系統(tǒng)崩潰。
MOS管并聯(lián)的可行性分析
以某MOS管的溫度曲線為例，可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性是隨溫度的升高內(nèi)阻也增大，如果在并聯(lián)過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導(dǎo)致某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會(huì)發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會(huì)升高比較多，電流就會(huì)降下來，由此可以分析出MOS管有自動(dòng)均流的特性而易于并聯(lián)。
MOS管的并聯(lián)電路
理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下
上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)電阻隔離驅(qū)動(dòng)，主要是可以防止各個(gè)MOS管的寄生振蕩，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢？如果取值過小，可能就起不到防止各個(gè)MOS管的寄生振蕩的作用，如果取值大了，開關(guān)速度會(huì)變慢，由于每個(gè)MOS管的結(jié)電容會(huì)有細(xì)微的不同，結(jié)果取值過大還會(huì)導(dǎo)致各個(gè)MOS管的導(dǎo)通速度相差比較大，所以R1-4在能夠防止各個(gè)MOS管的寄生振蕩的情況下盡量小到可以滿足開關(guān)速度。
關(guān)于R5-R8的柵極下拉電阻，主要作用是在驅(qū)動(dòng)IC損壞開路的情況下可以防止MOS管的誤導(dǎo)通。在某些特殊的應(yīng)用場合下，比如對(duì)待機(jī)電流有限制的電池保護(hù)板，這個(gè)電阻往往取值很大甚至沒有，這樣?xùn)艠O的阻抗會(huì)比較高，極易感應(yīng)比較高的靜電損壞MOS管的柵極。這種應(yīng)用最好在柵源極之間并聯(lián)一個(gè)15V左右的穩(wěn)壓管。
MOS管的并聯(lián)對(duì)布線的要求
大家知道，多個(gè)MOS管并聯(lián)，漏極和源極的走線都需要通過多個(gè)MOS管的總電流，理論上計(jì)算，如果要達(dá)到單個(gè)MOS管的電流不偏移平均電流的10%，那么總線上的總阻抗一定要控制在所有MOS管并聯(lián)后的內(nèi)阻的10%以內(nèi)。比如過50A的電流，由4顆MOS管并聯(lián)（例如用4顆HY3208P，典型是8mΩ,并聯(lián)后就是2 mΩ），那么漏極或源極的走線電阻需要控制在2 mΩ*10%=0.2 mΩ以內(nèi)才能保證10%的均流誤差。如果PCB銅箔厚度和寬度有限，我們可以加焊銅線或通過散熱片達(dá)到這個(gè)低的走線內(nèi)阻。
