原理圖：

仿真結果：

老師給的方案是讓用反激做，其實是讓做三個輸出333v的合起來1000v。我是先推算一下的。

那我這個計算思路有沒有錯誤的地方。

2、匝比計算中Vor由最大占空比推算，最后計算出的匝比應該是Np/Ns=0.03左右。

3、輸出的是高壓小電流，仿真時輸出電容選取1uF以下就可以。

4、按Dmax=0.45設計時輸出二極管需要高反向耐壓，建議提高占空比也有利于降低初級峰值電流。

求匝比也是用的公式n=Vor/(Vd+Vout)，再加上公式Vor=Vin*Dmax/(1-Dmax)確定Vor。

之前的參數是按Dmax=0.45設計的，建議占空比取0.7以上。

調小占空比就可以了。

-您這個Vin是根據最小輸入算的嗎？我根據12v輸入算的Vor=Vin*Dmax/(1-Dmax)=12*0.45/0.55=9.8

此時NP/Ns=n=Vor/(Vd+Vout)=0.01

-如果vin是24v   Vor=Vin*Dmax/(1-Dmax)=24*0.45/0.55=19.6

此時NP/Ns=n=Vor/(Vd+Vout)=0.02

怎么跟您算的結果不一樣呢？

-求最大占空比不是要根據最小輸入電壓算的嗎。

看你前文有提到輸出三個333V串聯，我是按Vout=333V設計的，如果按1000V設計跟你的結果一樣。

按Dmax=0.45、Vout=1000V計算輸出二極管反向耐壓要3400V左右。

對的，老師。是這樣的我是先算單個輸出的1000v。計算出最大占空比和確定下來原副邊的電感量 ，算出滿載時占空比。

然后，根據單個輸出的參數。確定三個輸出的匝比（比如單個輸出匝比1：30的話  三個輸出匝比可能是1：10：10：10吧  根據仿真結果調整）。

如果考慮三個輸出時輸出二極管選用1200v的。實際加在二極管上的電壓不超過450v的話，應該怎么考慮呢？

如果先算單輸出的話，我應該怎么算呢。我有點不會算了。

老師，我根據您給的提示又計算了一下過程您給看看：

Vin.min=12V      Vout=1000V/30mA     取Vor=20V

有 Dmax=20/20+12=0.625  Ton=12.5us   設效率0.8 工作模式DCM  有Krp=1

原邊平均電流  Iav=功率/效率*最小輸入電壓=30/0.8*12=3.125A

原邊峰值電流  Ipk=Iav*Ton/(1-0.5Krp)Dmax=10A

原邊電感      Lp=輸入最小電壓*mos開通時間/峰值電流=12*12.5us/10A=15uh

匝比          n=Np/Ns=Vor/Vout+Vd=20/1000+0.7=0.02

副邊電感      Ls=Lp/n*n=15uh/0.0004=37500uh

嗯，好嘞。老師我再叨擾您一下，您別嫌煩哈

如果，我做三個輸出一共1000V的話（各輸出參數一樣）。電路圖要怎樣畫。

我畫成下圖輸出的波形不對（參數我隨便取的）。您給看看

后面輸出部分有問題嗎？

那我用這個變壓器是不是就不用并聯一個勵磁電感Lm了？

好嘞，真是太謝謝您了。

再問您一個問題，我做的這個變換器在dcm中占空比超過0.5沒有什么問題吧，我知道在ccm中占空比超過0.5要加斜坡補償。

嗯嗯，知道了

老師您好。我又來請教了。

我還是做三個輸出加起來1000v的反激。在DCM中輸出的原副邊電流波形怎么看起來像是CCM的波形？您看看。

2.開關管兩端電壓波形在開通期間怎么怎么從零開始慢慢上升？開通尖峰還挺大的(我漏感取原邊電感的1%  即0.15uh）

3.RCD吸收電容波形是這樣的。

難道是因為我計算單個輸出1000v的時候是算成臨界模式的了(T=TON+Toff)？

這是單個輸出的原副邊電流波形：

我也做了下仿真，沒發現什么問題

仿真參數是參照16樓的設置的。

老師，rcd吸收電容電壓理論上是不是超過反射電壓的1.3倍嗎就行，上限有要求嗎？

您這個副邊單個電感量是 單個輸出1000v的的1/3嗎（在圖中看不出來）？不考慮副邊各電感耦合嗎？

看原邊Lp電流是連續模式的，可是之前算的是按斷續模式算的。如果是連續模式的那最大占空比是0.58的話，要加斜坡補償吧。

上限沒要求，高了選用的MOS管耐壓也會隨著升高。

用理想變壓器這樣設計就可以，用匝比平方折算副邊電感，如果考慮副邊耦合問題加點漏感就可以對這個仿真影響不大（三路負載相同交叉調整率問題可以忽略）。

我做的仿真是斷續模式的或者臨界模式左右，占空比大于0.5也不用加斜坡補償的，因為你這個是電壓控制模式。

老師，您是怎么確定這個是電壓控制還是電流控制呢，我指導老師是讓用峰值電流控制，比較簡單。

我這個以后要做實驗，到時候肯定還有要請教您的，您到時候多給學生講講。