SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。

         在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。

         在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。1200V功率等級下，各類功率器件的特性比較結果，參與比較的SiC MOSFET是GE12N15L。需要指出的是，這些功率器件都為TO-247封裝，且IPW90R120C3耐壓僅為900V，但它已是所能找到的相似功率等級下，特性較好的Si MOSFET。

         SiC正在進軍車載充電器、DC-DC轉換器和牽引逆變器。車載充電器通過電網為車輛充電。

         SiC因其寬帶隙技術脫穎而出。與傳統硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統硅基器件的10倍，導熱系數是傳統硅基器件的3倍，非常適合于高壓應用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。另外，SiC還用于制造LED。

         隨著電動汽車以及其他系統的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經歷需求的突然激增。最大的增長機會在汽車領域，尤其是電動汽車。基于SiC的功率半導體用于電動汽車的車載充電裝置，而這項技術正在進入系統的關鍵部分——牽引逆變器。 牽引逆變器為電動機提供牽引力，以推動車輛前進。對于這一應用，特斯拉在一些車型中使用了SiC功率器件，而其他電動汽車制造商則在評估這項技術。

        電力電子技術在全球電力基礎設施中發揮著關鍵作用。這項技術用于工業（電機驅動）、交通運輸（汽車，火車）、計算（電源）和可再生能源（太陽能、風能）。電力電子技術在系統中實現交流電和直流電（AC&DC）的轉換。

        同時，基于SiC的功率半導體用于600伏~10千伏應用。Moxey表示：“600~1700伏電壓適用于大多數SiC應用。當電壓達到3.3~10千伏時，它非常適合。例如風力發電和小型電網。”

        在電源領域，GaN用于30~600伏的應用。Moxey表示說：“GaN和SiC是互補技術，而非競爭技術。”

GaN和SiC器件都比硅快，但也更貴。Yole旗下System Plus Consulting部門設備主管Elena Barbarini表示：“目前，SiC MOSFET器件的每安培成本比同類IGBT高出五倍以上”。

產品資料：

ASC60N120MT3.pdf

聯系方式：