各位大佬，這個電流檢測是怎樣實現的，感謝

VDD_STWBC電壓5V，VRSENSE是待檢測的電壓，Isense是輸出的信息

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lysgdjp

LV.3

2018-06-15 10:38

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hylylx

LV.9

2018-06-15 11:11

我只想知道這圖誰畫的。

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fuwenhe

LV.1

2018-06-16 13:31

鏡像電流源

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jrc961

LV.3

2018-06-16 14:45

@fuwenhe

鏡像電流源

4樓說的是，就是鏡像電流源，把左邊那個三極管正過來，就容易看了。

鏡像電流源

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qinzutaim

2018-06-16 21:34

@jrc961

4樓說的是，就是鏡像電流源，把左邊那個三極管正過來，就容易看了。鏡像電流源

差分放大電路不知道樓主學的怎么樣,這個就是了....

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Starpan1

LV.2

2018-06-19 16:04

@qinzutaim

差分放大電路不知道樓主學的怎么樣,這個就是了....[圖片]

差分放大電路都差不多忘了，不過我看了拓撲，還是有點區別的，特別是射極上串聯10K電阻，另外不太懂怎么把射極上的VRSENSE電壓放大到集電極的Isense

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Starpan1

LV.2

2018-06-19 16:49

@jrc961

4樓說的是，就是鏡像電流源，把左邊那個三極管正過來，就容易看了。鏡像電流源

感覺和鏡像電流源射極不一樣，一個是串聯著10K到GND，一個相當于接信號電壓吧

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qinzutaim

2018-06-19 23:03

@Starpan1

差分放大電路都差不多忘了，不過我看了拓撲，還是有點區別的，特別是射極上串聯10K電阻，另外不太懂怎么把射極上的VRSENSE電壓放大到集電極的Isense

有種放大電路形式叫共基放大電路,

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Starpan1

LV.2

2018-06-20 10:15

@qinzutaim

有種放大電路形式叫共基放大電路,[圖片]

有道理，請教下，這個線路圖有兩個共基極三極管和電阻電容搭配，計算的思路是怎樣的

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juntion

2018-06-20 12:43

都用猜的.....有時畫電路要簡潔, 按照順序才好分析, 工程師對於這一點應該要有能力.....

修正後電路圖:

可以看出, Q5在於做VBE箝位, 先忽略R57, R22沒有電流所以沒電位, 則主晶體VBE= (5*10K/10K+1M)+VBE_Q5 = 0.649V, 其中VBE_Q5設為0.6V ,

則當R22跨壓超過0.049V , 主晶體會截止, ISENSE與IDEMOD 輸出HIGH.........

當R57連接後, VBE會多一個分壓路徑為R57+VSET , VSET為主晶體飽和電壓, 所以原VBE電壓再往下修.....

當主晶體進入線性截止區時, C29會透過R9對C29充電使R58電壓略高, 這算延遲, 也就是瞬間頂到電流時, 會有一段延遲時間主晶體才完全截止....

所以R22應該約30幾mV後進入過流, 限流點不超過2A............

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Starpan1

LV.2

2018-06-20 17:13

@juntion

都用猜的.....有時畫電路要簡潔,按照順序才好分析,工程師對於這一點應該要有能力.....修正後電路圖:[圖片]可以看出,Q5在於做VBE箝位,先忽略R57,R22沒有電流所以沒電位,則主晶體VBE=(5*10K/10K+1M)+VBE_Q5=0.649V,其中VBE_Q5設為0.6V,則當R22跨壓超過0.049V,主晶體會截止,ISENSE與IDEMOD輸出HIGH.........當R57連接後,VBE會多一個分壓路徑為R57+VSET,VSET為主晶體飽和電壓,所以原VBE電壓再往下修.....當主晶體進入線性截止區時,C29會透過R9對C29充電使R58電壓略高,這算延遲,也就是瞬間頂到電流時,會有一段延遲時間主晶體才完全截止....所以R22應該約30幾mV後進入過流,限流點不超過2A............

明白了，分析的很清晰明了，非常感謝