問(wèn)題一： 就是在測(cè)試MOS管的耐沖擊電流的是候，給個(gè)脈沖，然后用負(fù)載機(jī)帶電流去沖擊，脈沖分幾個(gè)擋位，比如10ms沖擊一次，就發(fā)現(xiàn)個(gè)問(wèn)題，在關(guān)斷的時(shí)候在DS之間會(huì)有很高的尖峰，沖擊電流越大，這個(gè)電壓越高，特別是超過(guò)100A的時(shí)候，超過(guò)MOS管的耐壓，繼續(xù)下去就會(huì)燒掉，在DS端加電容，反而沒有這個(gè)問(wèn)題
問(wèn)題二:在問(wèn)題一的基礎(chǔ)上DS間加電容，測(cè)試兩種差不多的MOS管，發(fā)現(xiàn)MOS里面芯片大的反而沖擊電流小，這是為什么，兩種級(jí)別差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而沖擊電流小？，這是什么原因，耐沖擊電流與MOS管的DIE大小有關(guān)系嗎
