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求助:磁芯開氣隙與墊氣隙片有何區別?

要達到同樣的電感量磁芯開氣隙與墊氣隙片有何區別?
請求高手指點,舉例:比如說需要開0.5mm的氣隙,但是墊氣隙片卻不是0.5mm,為什么?
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wwqwwq
LV.4
2
2008-04-25 16:55
看磁路具體怎么走?如:EE、EI等開氣隙是墊氣隙的2倍
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tj-zjh
LV.4
3
2008-04-25 16:55
之間的比例我通過實驗倒是知道,只是對知識的探索....
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tj-zjh
LV.4
4
2008-04-25 16:57
@wwqwwq
看磁路具體怎么走?如:EE、EI等開氣隙是墊氣隙的2倍
謝謝,我只是想知道為什么.
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tj-zjh
LV.4
5
2008-04-25 17:18
@wwqwwq
我也想知道,誰會就說說吧,謝謝了
謝謝,我們一起期待吧....
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tj-zjh
LV.4
6
2008-04-25 17:58
@tj-zjh
謝謝,我們一起期待吧....
希望大家積極參與...謝謝
開氣隙要優于墊氣隙片,這樣對PCB板周圍的干擾會更小....
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pzdy
LV.6
7
2008-04-26 09:29
@tj-zjh
希望大家積極參與...謝謝開氣隙要優于墊氣隙片,這樣對PCB板周圍的干擾會更小....
此帖已被刪除
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tj-zjh
LV.4
8
2008-04-26 09:34
@pzdy
此帖已被刪除
謝謝....
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2008-04-26 13:15
@tj-zjh
謝謝....
其實墊紙片還有一個優點就是會比磨氣息的效率要高點...
  但墊紙片的生產工時太慢了,不太適合生產..
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wwqwwq
LV.4
10
2008-04-26 15:09
@tj-zjh
之間的比例我通過實驗倒是知道,只是對知識的探索....
我也想知道,誰會就說說吧,謝謝了
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貝多芬
LV.7
11
2008-05-01 15:10
@transformer1
其實墊紙片還有一個優點就是會比磨氣息的效率要高點...  但墊紙片的生產工時太慢了,不太適合生產..
完全同意transformer1的意見,掂氣隙的效率比中間蘑氣隙的效率要高點.
但EMI比中間蘑氣隙要差點,建議增加EMI屏蔽銅片
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transformer1
LV.10
12
2008-05-01 20:01
@貝多芬
完全同意transformer1的意見,掂氣隙的效率比中間蘑氣隙的效率要高點.但EMI比中間蘑氣隙要差點,建議增加EMI屏蔽銅片
是哦!
  我們公司只要兩邊有墊氣息的都會在成品外面搞一個屏蔽shielding !
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cafetea
LV.4
13
2008-06-03 13:21
假設氣隙設計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.

墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
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transformer1
LV.10
14
2008-06-03 14:53
@cafetea
假設氣隙設計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
cafetea兄:
分析的很透澈!!!
頂...
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貝多芬
LV.7
15
2008-06-03 18:02
@cafetea
假設氣隙設計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
確實是這樣,應該給cafetea兄加分
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transformer1
LV.10
16
2008-06-03 18:42
@貝多芬
確實是這樣,應該給cafetea兄加分
我加不了, 只有給他好評咯..
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tj-zjh
LV.4
17
2008-06-06 13:24
@cafetea
假設氣隙設計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
說的很有道理,贊
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tonical
LV.2
18
2008-06-06 13:44
@cafetea
假設氣隙設計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
墊氣隙時磁路上有兩個氣隙,每個氣隙上只有約一半的磁動勢(MMF),擴散磁通(fringing flux)峰值較小,氣隙附近的線圈渦流損耗較小.帶來的問題是生產不方便,墊的氣隙可能因墊的材料受氣溫濕度影響而變化,而且氣隙在外面產生的RFI也較大,當然處理的好也是沒問題的.
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twtujtishg
LV.5
19
2008-06-19 18:19
@tonical
墊氣隙時磁路上有兩個氣隙,每個氣隙上只有約一半的磁動勢(MMF),擴散磁通(fringingflux)峰值較小,氣隙附近的線圈渦流損耗較小.帶來的問題是生產不方便,墊的氣隙可能因墊的材料受氣溫濕度影響而變化,而且氣隙在外面產生的RFI也較大,當然處理的好也是沒問題的.
學習
頂起
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transformer1
LV.10
20
2008-06-19 18:39
@twtujtishg
學習頂起
開氣隙這個問題的研究..
  福州大學的陳為博導有過很多文獻討論過..
其中有一篇就是<<功率電感器損耗分析與設計考慮----福州大學功率變換與磁技術研究室>>
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2008-06-19 21:40
@transformer1
開氣隙這個問題的研究..  福州大學的陳為博導有過很多文獻討論過..其中有一篇就是
有個問題,請大家幫忙.變壓器帶不起負載的原因都有哪些?輸出電流小了怎樣解決?輸入電流小了怎樣解決,輸出電壓小了怎樣解決?輸入電壓小了怎樣解決?對你們來說簡單,可是對我來說就不簡單啦.無奈!!!請大家幫忙
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2008-06-21 09:24
@wwqwwq
看磁路具體怎么走?如:EE、EI等開氣隙是墊氣隙的2倍
說的對,支持

我們也是這樣計算的
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120421322
LV.6
23
2009-02-18 14:18
@lwj371809196
有個問題,請大家幫忙.變壓器帶不起負載的原因都有哪些?輸出電流小了怎樣解決?輸入電流小了怎樣解決,輸出電壓小了怎樣解決?輸入電壓小了怎樣解決?對你們來說簡單,可是對我來說就不簡單啦.無奈!!!請大家幫忙
帶不起負載有可能是自身功率不夠,或者輔助繞組的電壓太低,不知道你的是個什么電路,對于我自己搞的東東,輸出電流小了就是負載帶不起,輸入電流是跟著負載和輸入電壓的變化而變化的,輸出電壓小了的話可能是你的取樣有問題,輸入電壓小去找供電局啊
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背影子
LV.6
24
2009-02-19 11:30
@lwj371809196
有個問題,請大家幫忙.變壓器帶不起負載的原因都有哪些?輸出電流小了怎樣解決?輸入電流小了怎樣解決,輸出電壓小了怎樣解決?輸入電壓小了怎樣解決?對你們來說簡單,可是對我來說就不簡單啦.無奈!!!請大家幫忙
到我的電源網博客http://jixiuxicicl.blog.dianyuan.com/,或我的個人網站http://xinxincicl.ik8.cn/去找,多得很.
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