FAIRCHILD的FSFR2100沒有人工廠在量產?
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@利芯科技~icbanks
至少我到現在還沒有聽說哪個客戶對這個產品的評估板說效果不好的!LLC是個新的解決方案,我在想是否調試有問題呢?
去測一下吧,90V時滿載效率不高,SRC已經有了,LLC已經不是什么新技術了,搞清楚再說,不要為了買東西就亂發言,同步整流才是未來的趨勢,你先上堂課吧.
近年來隨著電源技術的發展,同步整流技術正在向低電壓、大電流輸出的DC/DC變換器中迅速推廣應用.DC/DC變換器的損耗主要由3部分組成:功率開關管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗.在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出.快恢復二極管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產生大約0.6V的壓降,這就導致整流損耗增大,電源效率降低.舉例說明,目前筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達20A.此時超快恢復二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%.即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會達到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上.因此,傳統的二極管整流電路已無法滿足實現低電壓、大電流開關電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸.
同步整流是采用通態電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術.它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓.功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系.用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流.
為滿足高頻、大容量同步整流電路的需要,近年來一些專用功率MOSFET不斷問世,典型產品Philips公司生產的SI4800型功率MOSFET是采用TrenchMOSTM技術制成的,其通、斷狀態可用邏輯電平來控制,漏-源極通態電阻僅為0.0155Ω.IR公司生產的IRL3102(20V/61A)、IRL2203S(30V/116A)、IRL3803S(30V/100A)型功率MOSFET,它們的通態電阻分別為0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω,在通過20A電流時的導通壓降還不到0.3V.這些專用功率MOSFET的輸入阻抗高,開關時間短,現已成為設計低電壓、大電流功率變換器的首選整流器件.
近年來隨著電源技術的發展,同步整流技術正在向低電壓、大電流輸出的DC/DC變換器中迅速推廣應用.DC/DC變換器的損耗主要由3部分組成:功率開關管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗.在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出.快恢復二極管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產生大約0.6V的壓降,這就導致整流損耗增大,電源效率降低.舉例說明,目前筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達20A.此時超快恢復二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%.即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會達到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上.因此,傳統的二極管整流電路已無法滿足實現低電壓、大電流開關電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸.
同步整流是采用通態電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術.它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓.功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系.用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流.
為滿足高頻、大容量同步整流電路的需要,近年來一些專用功率MOSFET不斷問世,典型產品Philips公司生產的SI4800型功率MOSFET是采用TrenchMOSTM技術制成的,其通、斷狀態可用邏輯電平來控制,漏-源極通態電阻僅為0.0155Ω.IR公司生產的IRL3102(20V/61A)、IRL2203S(30V/116A)、IRL3803S(30V/100A)型功率MOSFET,它們的通態電阻分別為0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω,在通過20A電流時的導通壓降還不到0.3V.這些專用功率MOSFET的輸入阻抗高,開關時間短,現已成為設計低電壓、大電流功率變換器的首選整流器件.
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@greenpower1
去測一下吧,90V時滿載效率不高,SRC已經有了,LLC已經不是什么新技術了,搞清楚再說,不要為了買東西就亂發言,同步整流才是未來的趨勢,你先上堂課吧.近年來隨著電源技術的發展,同步整流技術正在向低電壓、大電流輸出的DC/DC變換器中迅速推廣應用.DC/DC變換器的損耗主要由3部分組成:功率開關管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗.在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出.快恢復二極管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產生大約0.6V的壓降,這就導致整流損耗增大,電源效率降低.舉例說明,目前筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達20A.此時超快恢復二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%.即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會達到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上.因此,傳統的二極管整流電路已無法滿足實現低電壓、大電流開關電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸.同步整流是采用通態電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術.它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓.功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系.用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流.為滿足高頻、大容量同步整流電路的需要,近年來一些專用功率MOSFET不斷問世,典型產品Philips公司生產的SI4800型功率MOSFET是采用TrenchMOSTM技術制成的,其通、斷狀態可用邏輯電平來控制,漏-源極通態電阻僅為0.0155Ω.IR公司生產的IRL3102(20V/61A)、IRL2203S(30V/116A)、IRL3803S(30V/100A)型功率MOSFET,它們的通態電阻分別為0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω,在通過20A電流時的導通壓降還不到0.3V.這些專用功率MOSFET的輸入阻抗高,開關時間短,現已成為設計低電壓、大電流功率變換器的首選整流器件.
嗯!不錯,看起來很專業,不過這些分析理論好象我在另一處看過,是轉載的吧!不管怎樣都好啦!總是值得學習的!
我們在討論的是FSFR2100,既然您如此專業,不妨請提供對本產品實際評測數據、結論及與同類產品的總性價比,以充分的實踐數據和給我們上堂課吧!
我希望有你的分析和評測,對我們更多想用和準備用及正在用的人們以更大幫助!
太有才了!就靠你了哥們!
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眾所周知,同步整流技術是解決低壓大電流整流效率的關鍵技術,而其核心又是如何實現同步整流控制,本人孤陋寡聞,至今還沒有找到適于象FSFR2100,L6599之類的諧振半橋軟開關付邊同步整流控制芯片,請專家們提供相應芯片資料.
郵箱:zldong@pbicn.com
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用CM6807+CM6900吧,CM6900為全球首款可以在諧振半橋下可以實現同步整流的芯片.很穩定的,原廠提供很多典型方案的設計供參考,臺資的大廠,都已經采用了,感興趣,聯系Email:gaofeng922@126.com,提供資料和典型應用設計.相信虹冠的CM6800大家都知道吧,這款是針對液晶電視推出的,效果反應很好.歡迎大家來電咨詢,13420907762,MSN:gaofeng@osea.com.cn
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/60/2282171197940829.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
2282171197940873.pdf
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@gaofengkgb
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