請教MOSFET管的導(dǎo)通電阻問題
最近做了一個電路,把1.2V鎳氫電池的電源升高到4.5V左右,驅(qū)動多個大功率紅外線發(fā)光二極管,結(jié)構(gòu)是最普通的開關(guān)-電感升壓結(jié)構(gòu),電池最大電流約為2A,電池為2000mAH,驅(qū)動源為MCU的PWM輸出.MCU的供電另由一個成品的微型升壓板提供.當(dāng)前手頭上只有400V的IRF840,只好用它.調(diào)試時發(fā)現(xiàn),IRF840的導(dǎo)通電阻似乎遠(yuǎn)高于其標(biāo)定參數(shù),根據(jù)我用普通數(shù)字表測量Vds和電流,折合電阻在好幾歐姆以上,輸出的電壓和功率都難以滿足要求.更換了幾個開關(guān)管都如此.請問是何原因?選用何種開關(guān)管比較合適?
請教MOSFET管的導(dǎo)通電阻問題
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@乞力馬扎羅的雪
REMOS的導(dǎo)通電阻和它的G極驅(qū)動電壓、DS的電流、結(jié)溫等有關(guān).具體的測試條件可以看DATASHEET.至于你選什么樣的MOS,要看你對功率的要求.耐壓只要幾十伏就夠了.耐壓低的MOS,一般RDS(on)也小,有的只有幾個毫歐.
IRF840的Rds
您的回復(fù)很迅速,謝謝!
去IAR的網(wǎng)站查詢了一下,IRF840的Rds是0.85歐姆,我記錯了,以為是0.085歐姆.不過與我的測量結(jié)果仍是差距很大,也許是Vds太低的緣故吧.歡迎大家繼續(xù)指點(diǎn).
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去IAR的網(wǎng)站查詢了一下,IRF840的Rds是0.85歐姆,我記錯了,以為是0.085歐姆.不過與我的測量結(jié)果仍是差距很大,也許是Vds太低的緣故吧.歡迎大家繼續(xù)指點(diǎn).
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