555~~~自已頂

無原邊電感量,鑒定完畢

原邊電感是32uH,漏感是4.1uH.這是變壓器廠家給的參數.還有用的是EFD25的磁芯.

2842的3PIN對4PIN加一個很小的電容!R15可調限流點,R12也可以減小點!R14實在是太大了,相應調小,0.47R左右!

1,R1阻值太大了.
2,你的MOS的驅動波形怎樣?開關損耗大不大?漏極峰值是否高于100V?
3,PCB電磁兼容性怎樣?電源是否自激了?
4,你的MOS管的散熱怎樣?

1.R14阻值是大了,但如何計算呢?
2.MOS管驅動波形挺好的,輕載時占空比很低,重載時會變大,小于50%
3.布線應沒什么問題,什么是電源自激?
4.MOS管散熱還可以.
還有為什么重載時TVS4很燙,我選的是SMCJ20A,20V的.

取樣電阻的設計你可以調整后確定.
MOS管的波形,我說的是波形的上升,下降時間,還有上升下降時,是否有阻尼振蕩現象.
TVS4 鉗位電壓低了點,最低也要36A.

TVS4上并一個102的電容試一下!

MOS管的波形,上升,下降時間,都很小,看上去跟方波一樣,無阻尼振蕩現象.
“TVS4 鉗位電壓低了點,最低也要36A”還是36V呀.低是低,但是有D5-SK310反向,在MOS管導通時,由于D5,TVS4應該是不通的,MOS管關斷時,由于變壓器漏感產生的尖峰電壓通過,D5,TVS4來釋放.SMCJ20A,是20V的,鉗位在42.8V(8/20uS).而F7473的VDSS為100V,鉗位在42.8V不是挺好的嗎?

原邊電感量太小了,重新計算變壓器.

反饋取12V,R14減小,頻率減小,TVS增大電壓試試或則用RCD好了

我參照王寧的“瞬態電壓抑制器的應用”文章,選TVS看看對不對
TVS管的選擇如下:
24V交流整流濾波為直流供給開關變壓器,電壓直流變化范圍是24V~37V.選用Vwm(關斷電壓)等于36V的TVS,這樣VBR(雪崩)電壓控制在36*1.3=47V以內,加上電源電壓,功率開關管F7473耐壓為100V足以.
估算一下TVS管的PM值:
TVS管所耗散的功率也就是電路雜散電感(漏感吧)所存儲的功率,故而轉求雜散電感存儲功率即可.
PM=PL=E/t=0.5*L*I^2/t
雜散電感一般為幾個μH,這里取4.1μH;
41W的開關電源原邊平均電流I=P/U=(41/70%)/30=2A,設占空比D為0.5,則最大電流=I/D=2/0.5=4A,取I=6A;
功率開關器件關斷時間一般在幾十納秒,取t=10ns,于是有:
PM=0.5×4×10^(-6)×6^2/10×(10^-9)=7200W,由于開關電源開關頻率很高,達到了100kHz以上,考慮脈沖功率的累計,PM應成倍擴大.我取PM值15000W.
這樣的話,TVS有400W、500W、600W、1500W,5000W和15000W.我要選36V/15000W的TVS管可以嗎?才區區41W就用這么大的TVS是不是不合適啊.
還有各位高手是如何計算的?

頻率不能減小了,變壓器廠家說用EFD25做41W的已經差不多了.頻率越高同樣的磁芯做的功率越大.由于結構只能選EFD25的磁芯.

36V/15000W聽說要10塊錢一個,太貴了!我是用不起了.

并102電容了,還是很發燙

R14我換成0.17歐,原邊峰值電流=5.9A,帶載明顯增加.TVS4換成RCD的吸收網絡,發熱量就小多了,但F7473發熱很大,3842的6腳輸出居然達25V.加一級15V穩壓管,穩壓管發熱很嚴重.是不是這時我的F7473選的太小了?
F7473,Id=6.9A@25度,5.5A@70度,Vgs=20V(MAX).

用RC電路吸收試試怎么樣.

留個腳印

“原邊電感量太小了,重新計算變壓器”這個我不知道呀,因為變壓器我不懂,是找專業公司給繞的.能給個建議嗎?
重復第17貼.
R14我換成0.17歐,原邊峰值電流=5.9A,帶載明顯增加.TVS4換成RCD的吸收網絡,發熱量就小多了,但F7473發熱很大,在5V輸出1A時,3842的6腳輸出居然達30V(示波器測),電源也颼升到30V.我想是次級繞組太重時,輕載的輔助電源電壓發飄,如何解決這個問題呢?.

我在輔助電源D6輸出前串了一個200歐的電阻,再接一個18V的穩壓管,能控制在18V以下,起動也沒什么問題.這樣可以嗎?

200歐歐太大了點

兄弟,就是說這么做沒問題吧.那我就改成100歐1W的.200歐0.25W還真有點燙.

你的變壓器熱不熱?上升下降時間是好多?
MOS管的波形可以上傳嗎?












1

建議:
(1)反激變壓器的原邊電感量是非常關鍵的參數,是在設計之初根據電源要求計算確定的,為了得到較大的電感量,通常需要在磁芯增加氣息
(2)給芯片供電的輔助繞組匝比不合適,否則不會高達25V.
(3)TVS一般不應用在開關電源的功率級尖峰吸收,建議使用RCD或RC吸收
(4)芯片的4與3腳的斜坡補償應該接成射級跟隨器的形式,如果工作時的占空比不超過0.6,也可以只接一只100p~200P的電容.
(5)電流采樣電阻R14的設計計算首先應根據輸出電流、占空比、效率、變壓器匝比折算出原邊的峰值電流,而芯片的3腳一般大于0.9V就開始減小輸出脈沖寬度進行限流,因此3腳電壓一般選擇0.6V左右,由原邊峰值電流和0.6V的電壓就可計算采樣電阻值,在根據工作時的平均功率確定電阻功率.
(6)反饋應該從輸出功率較大的路進行采樣或同時采樣,且采樣點最好接在輸出濾波電感前.
(7)建議在設計電源前多看看相關書籍和資料.

你這張圖太多問題了,就目前來看,你要走的路還很長很長.我也剛剛完成一個用此IC的項目,24VAC輸入,5路輸出,輸出總功率60W.就我個人認為,你的頻率取80K就好了,電感量25左右,電流取樣電阻改小,改變次級線圈的繞法和電壓取樣點.

TVS4-SMCJ20A很燙找到原因了.
因為SMCJ20A鉗位電位過低,導致鉗位時間過長,損耗過大所致.
那我這么選大家看行不行,不考慮漏感,24V整流濾波后最大35V,MOS關斷后,由次級感應到初級電壓Vor=(5+0.8肖特基壓降)V*(22/6匝比)=21.5V,取22V.
VDS=22+35=57V,所以選TVS的VBR(雪崩電壓)=62V(比57V大一些),Vwm(關斷電壓)=62V/1.3V=48V
.
由于F7473的VDS最大=100V,選TVS的VBR(雪崩電壓)=90V(比100V小一些),Vwm(關斷電壓)=90V/1.3V=69V.
綜上選TVS在SMCJ48A--SMCJ70A之間.所以我選SMCJ60A.
這樣可以嗎?

沒相機呀

你的圖看不清楚啊

....
樓上,你在圖下點一下,不就行了.

把初級電感量32uH變到100uH(減小氣隙),帶載量比以前提高很多,但30多W下,變壓器發出吱吱聲.今天試了試SMCJ60A,30W下沒什么發熱,但是F7473發熱嚴重.示波器測量發現,輕載時,電路處在DCM(不連續模式)下,重載時,變成CCM(連續模式),電路出現振蕩.
有什么解決辦法,設計是41W呀,才30W就不行了.