我的開關電路的MOS管采用的是IR公司的IRF450,最近這個管子老是燒,在查資料時看到這樣一段消息:
美國APT公司在1996年實現了第五代功率MOSFET的突破性發展.由于采用了三維設計完成了特殊的控槽工藝,實現了叉指式開胞溝槽設計.它擴大了芯片的有源面積,更好的抑制了寄生雙極管的導通現象(這是燒毀MOSFET的主要原因),提高了雪崩能量的額定值Eas,并有效的減少了通態電阻值Rds(on),降低了雙極管激活效應.
APT公司第五代MOSFET功率器件的雪崩能量額定值Eas在出廠前做100%的測試,使其有更高的可靠性.因為MOSFET燒毀的主要原因是寄生雙極管導通,有兩種可能:一是MOSFET體內二極管的反向恢復電流,它流經雙極管基區使EB結正偏達0.7V而導通;二是出現雪崩擊穿時MOSFET耗盡層內的電子空穴流向源極也使雙極管激活導通.APT公司的全面測量Eas大大提高了新產品的可靠性.
請教各位高手誰能給我詳細的解釋一下上面的這段話,雙極管是什么?Eas和雙極管有什么關系?我用IRF450時,柵極脈沖電壓13.6V,漏極電壓380V.
MOS管燒壞原因分析!請各位大俠不吝賜教!!!
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附IR公司IRF450的datasheet1101429301.pdf
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通常來說,雙極管是指有兩種載流子同時參與導電,即電子和空穴同時參與導電.如雙極晶體管,NPN或PNP.與雙極晶體管相對應的是單極晶體管,如MOSFET.正如你所說的,MOSFET燒毀的主要原因是寄生雙極管導通,理論上寄生雙極管導通是可以避免的,因為在MOSFET制作過程中,已經將柵極、源極進行了短路,即MOSFET中只寄生一個體二極管,但當MOSFET管發生雪崩擊穿時,將使得大量電流流過體二極管,電流流過雙極管基區使EB結正偏電壓達0.7V而導通,即寄生雙極管導通,使MOSFET燒毀.Eas為單脈沖雪崩能量,Ear為可重復性雪崩能量,E＝BVdss*Id*t,BVdss為漏源擊穿電壓,Id為漏極電流額定值,t為時間,雪崩能量越大,管子所能承受的雪崩時間越長,可靠性越高.APT的MOSFET 100%經過雪崩測試,而且雪崩能量比較高,所以具有更高的可靠性.
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