電感量變小點也可以

哪里有圖啊?

圖呢?

沒傳上來

暈 再傳F:\system\mydocument\TEK0000.JPG

沒有

怎么傳啊?點擊了上傳文件回復(fù)后竟然沒有

再試試

zcvzxc
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/276161177661849.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

振蕩部分的幅值與原副邊匝比成正比,振蕩頻率與副邊電容(包括寄生電容)大小成反比.

不對吧,你應(yīng)該想想這個振蕩產(chǎn)生的原因,你就知道怎么解決了.

你知道我說的意思嗎?你可能不明白我在說什么吧.

這是電流斷續(xù)情況下的振蕩,應(yīng)該和副邊無關(guān),此時副邊相當(dāng)于開路吧.
我覺得應(yīng)該是副邊反射電壓消失后,原邊主電感和MOSFET的Coss產(chǎn)生的振蕩,不過振蕩幅值也太高了,導(dǎo)致副邊二極管又開通了2次

不會開通,那個最大值才和你的輸出反射相等

原邊電感量太大了,減小就可以了.或者減小匝比也可

和我的情況一樣!MOS關(guān)斷時的自由震蕩,我還沒有找到解決的辦法.不過好象對工作沒有影響.

減小匝比,還有在吸收二極管上串聯(lián)一個100R電阻
這個和感量沒有關(guān)系的,這個震蕩是變壓器的漏感,寄生電容和MOS的寄生電容引起的
老兄,像你這樣的波形用在準(zhǔn)諧振上很好的,降低損耗,呵呵!

反射電壓太大,斷續(xù)起振幅值是反射電壓+Vin,而后收斂均小于反射電壓,樓上幾位說得有理,減小匝比即可.不過,反射電壓對于管子來說可以接受的話也沒啥問題啊,感量控制好還可以在輸入范圍內(nèi)實現(xiàn)低電壓開通.

感謝!就是匝比選擇的不好.雖然工作沒有問題,但是效率比較低.原想讓輸出二極管降低損耗,卻更增加了MOS和TR的損耗,Ip增加,反射電壓高,效率反而低.

你的星際很厲害?有空切磋一下!

怎么可能是反射電壓呢?振蕩開始時是在副邊電流斷續(xù)的情況下發(fā)生的,此時副邊相當(dāng)與開路,對原邊應(yīng)該沒有影響的.反射電壓只是影響MOSFET關(guān)斷到電流斷續(xù)之前的部分

你可能沒看懂我的意思,我說反射電壓太大,是說變壓器還向副邊饋能時的電壓,這個電壓維持到斷續(xù)開始時,由于MOS寄生電容電壓不能突變,所以起振也是這個電壓,收斂振蕩則第一個波谷略低于你的起振電壓,那么反射電壓高,你第一個波谷是不是回很低?!

下圖是我做的單端反激Vds波形,也是感覺振蕩太厲害,這樣對mos管的溫升是不是影響很大啊?500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/53/1694391180345649.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

在RCD吸收的電容上串聯(lián)一個100-680歐姆的電阻

尖峰電壓也太高了吧!沒加RCD嗎?或者變壓器漏感太大!

和我做的反激電源波形差不多,我還在找問題,尖峰過高,而且振蕩