從底層貼片看，1工藝上：C9 R18 R14 TVS F1 Q1nMOSF的方向與過波峰焊的方向不一致，過波峰焊的時候極易導致連錫假焊，C6 R16 R17 R4過爐方向不管是從在還是從右，無疑是被兩sop8的給干死（陰影效應）；2電氣上：從原理可以得知U14腳位FB U22腳位協議ICFB，會不會太長？？U1的6腳為CS腳靜態電流，下面走了一條不大不小的FB線？再看看一些其它的信號線及主功率線 紋路~~

V1版本的改進:1.從工藝上看 C9 R18 F1 Q1nMOSF的方向已改為與過爐方向一致了，工藝好了些許，然而如果過爐方向是從尾端先進去，那么R18 C9會因為Q1的高度而出現陰影效應，所以板子的前端先進入波峰錫爐。TVS瞬態抑制二極管由貼片改為了插件式的，結合現有庫存物料；2.從電氣上看，U1FB與協議ICU2FB的走線，經與原廠資深高工確認，沒有問題，U16腳是靜態點，下面走線也關系不大；再看看紋路 主功率線 熱分布都做了權衡了，還在頂層和底層部分功率線做了裸銅處理，加大散熱面積，降低溫升~~

V2版本：1.工藝上和V1的一樣沒有太大的改變；2.電氣上，V1和V2的輸出正極環路走得太長了（圖一頂層黑色標線），然而V2并沒有做出優化處理，圖3絲印Q2和U2位置作了位置調換，V1沒有改動的原因是因為考慮到FB信號線走得太長引入的干擾太大，環路不穩定所以沒有對調位置，FB線如圖一，位置對調后圖二，輸出Pmosf走線和輸出U2的信號線已經分開且明顯短、粗了，溫度會更好。圖四，為了增加散熱面積  在頂層作了漏銅處理，然而頂層裸銅會出現與磁環短路隱患，（如果磁環漆包線絕緣不好，或是工藝導致絕緣性能下降，或是其它原因，輻射面積也會加大）~

V3版本：主要是在電氣layout上面作調整，圖一：在V1和V2的基礎上把輸出環路縮短了，然而FB采樣還是沒有變動，雖然原廠資深高級工程師說影響不大，但憑“感覺”到時候會出現電壓采樣異常情況；CS電流采樣也做了紋路處理，QC3.0的信號在V2的基礎上沒有變動，畢竟已經沒有其它優化的思路了；散熱處理頂層還是沒有取消，最后決定在鐵硅鋁磁環上套UL絕緣套管，排除隱患，雖然成本上去了。

V4版本：1.制成工藝基本是沒有改動，基本是結合過爐方向一致性優化處理；2.電氣上面，把電氣電流流向重新改了一遍（大改），紋路就這樣了；雖然原廠資深高級工程師都說電壓反饋環FB的走線沒有問題，但最終“感覺”還是有隱患，最后還是作出了調整；mosfD極的走線面積也縮小了，只走了底層，避免輻射干擾太大，并在底層裸銅加大散熱面積，排除因溫度過高導致產品OTP或異常；為了節省成本，頂層漏銅已經刪除，畢竟套UL熱縮套管成本也會增加；然而部分器件因陰影效應的存在還是沒有解決~  就這樣板子最終已經改完了！

為了達到layout的最終結果，上傳幾張調試好的照片和輸入DC15V 輸出5V3A滿載時候的前Nmosf的VDS的波形和VGS的波形，調試過程和其它就不一一上傳了或分享了  （QC3.0 and type-c車載充電器） 結案~謝謝

請問樓主有沒有Type C母座封裝發給我用用啊！99SE的。