頂頂

把D2拿掉, R1換成1K, 再試試.....

不過(guò)你這結(jié)構(gòu)短路會(huì)燒MOS, 建議在D-S兩端並聯(lián)一顆蕭特基二極體.......

我這個(gè)輸入范圍是10-55v,把D2去了，就不能達(dá)到這么寬的輸入范圍了。DS端為什么要并聯(lián)一個(gè)肖特基二極管？

同樣問(wèn)題.....

看這一貼

http://www.daogou-taobao.cn/bbs/1538602.html

把Q4那個(gè)路徑去掉, 輸入輸出反過(guò)來(lái)裝.......

Juntion  你好：

謝謝你的回復(fù)。

1.把 R1更換為小阻值，增大|Vgs|電壓，較小MOS管的壓降。這個(gè)方法是的可行的， 但是也帶來(lái)的R1功耗增大的現(xiàn)象，按照你推薦的電路

需要把下圖中Q1的 D和s極互換，不知道我理解的對(duì)否。

2.關(guān)于我提供的電路圖，我的疑惑是，為什么MOS關(guān)有這么大的壓降，按照最大導(dǎo)通電阻，Rds（on）=0.1ohm，流過(guò)1a電流，應(yīng)該喲0.1V壓降左右啊，為什么有0.8V壓降，莫非是PMOs體二極管的壓降？

已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫(kù)嘍
http://www.daogou-taobao.cn/bbs/classic/

呵, 一開始不知道你電壓範(fàn)圍很寬, 若以你目前所PO的電路圖, 因?yàn)镾極為輸出, 且G極分壓, 所以其壓差對(duì)於VGS而言與你的負(fù)載有關(guān)係, 當(dāng)負(fù)載端電壓拉低, 你的VGS將不足....

以現(xiàn)有分析, 一開始送電後, 只有Body Diode通, G-S電壓分一半, 所以開機(jī)有載情況下G-S可能分不到4.5V

雖然比SPEC上標(biāo)示的還高, 但你必須去看 RDSon VS VGS曲線, 因?yàn)镾pec 上測(cè)定的Vth條件不一定跟你狀況一樣..

你那情形相當(dāng)於Mosfet沒(méi)通.......

所以只要你將R1電阻值改低, 保證MOSFET可以導(dǎo)通, 會(huì)短路Body Diode, 但是電壓高就沒(méi)辦法了...

另一貼的電路, 是要在7V啟動(dòng), 不過(guò)應(yīng)該是做過(guò)壓保護(hù), 所以給它加Q4, 你只做反接, 只需要短路Body Diode, 

所以就將電路的輸入(Vin)接你的輸出, 電路的輸出(Vout), 接你的輸入就可以了....

這電路主要是有恆流源讓Mosfet保持導(dǎo)通..........

感謝Juntion版主的回復(fù)

1、關(guān)于上面的問(wèn)題，補(bǔ)充一下輸入的條件設(shè)定，輸入電壓范圍是10v-50v，穩(wěn)壓管使用的是15v穩(wěn)壓管，開始的想法是在低于穩(wěn)壓管的電壓時(shí)，依靠電阻分壓來(lái)開啟PMOS.當(dāng)大于穩(wěn)壓管的輸入電壓范圍時(shí)，穩(wěn)壓管開始工作，穩(wěn)壓管導(dǎo)通電流增大，通過(guò)R1電流增大，VR1增大，來(lái)保證VGS電壓在15v左右，保證不超過(guò)VGS(th)【VGS小于±25v】。以上是我的設(shè)想。

下圖是VGS與RDS(ON)的關(guān)系。從下圖VGS=5V時(shí)，導(dǎo)通電阻應(yīng)該小于0.1ohm才對(duì)。

所以你那10V輸入時(shí), 抽載剛好使電壓在VGS的臨界點(diǎn), 輸入電壓再上升就正常了不是麼?

可能是的，我去調(diào)整一下試一試。

剛測(cè)了幾個(gè)參數(shù)奇怪。

供電輸入電壓： 供電電流     |VGS|    輸出電壓

  10V                1.318A       6.9v       9.21 

   13                  0.99          8.91       12.23

   20                  0.6415       13.57     19.24

   30                0.4324         16.07      29.25

 輸出電壓壓降差別不大啊

你那是什麼怪MOSFET.....要不要換廠牌看看.......

Fairchild 的FDMC86139

Fairchild 應(yīng)該不會(huì)這樣阿, 那你這樣

1). 直接量MOSFET引腳...

2). 用示波器看看Mos_S與Mos_G電壓, 是不是震盪了......

3). 輸入10V, 直接把Mos_G接地看看.......

看哪一項(xiàng)出問(wèn)題..........

用示波器測(cè)試了，未發(fā)現(xiàn)震蕩

那你用這看看.....

測(cè)試點(diǎn)是點(diǎn)到mos兩個(gè)引腳上嗎？線路上的阻抗也會(huì)有壓降

點(diǎn)到了，開始也懷疑是線路上的阻抗，后來(lái)用萬(wàn)用表測(cè)試MOS的輸入，輸出引腳上，也是一樣

輸入范圍太大了，低壓時(shí)，在PMOS兩端必然存在壓降，隨著電流增大，PMOS發(fā)熱嚴(yán)重，壓降更加嚴(yán)重。

你好，感謝你的回復(fù)，輸入范圍是比較寬，低壓時(shí)，我的PMOS管的|VGS|大于芯片要求的最大開機(jī)電壓，達(dá)到6V,此時(shí)PMOS為何還是為完全開通，壓降有0.75V,這個(gè)是讓人疑惑的地方。

頂！d=====(￣▽￣*)b

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