先上圖片
正面，高電壓時間距很重要，所以采用2只變壓器分別給兩個半橋獨立供電 MCU也是完全獨立供電的所以反饋電壓環(huán)使用電壓互感器，
電流環(huán)使用電流互感器，
背面還有幾個原件
大功率IGBT時管壓降檢測如果是MOS由于壓降較小管壓降就形同虛設，但在大功率IGBT管壓降就起到重大保護作用
在原來的基礎上過溫保護短路保護 鎖相 ，市電斷電檢測 ，增加了電流環(huán)，可實現(xiàn)恒功率，有了電流環(huán)和鎖相加上電壓環(huán)功能
就可以做并網(wǎng)實驗了，當然最終目標是可以并網(wǎng)運行！三個模塊可并聯(lián)成大功率的3相4線制，載波目前使用15K，功率越大
載波越低，但不可以過低，對于IGBT來說這個頻率發(fā)熱大大減小，死區(qū)時間可以任意修改，大功率的一般1uS-3uS，太大則會過零
點時間過長，而且影響母線利用率，太小則吃炸雞的，我選用2uS感覺比較合適，對于多管并聯(lián)驅動大有講究，圖騰是必須的
8顆TOP220管做輸出，要求耐壓的情況下還要速度要快電流也要大目前使用手邊的D1804和B1204，300A的IGBT可以輕松驅動，驅動24個TOP247的MOS非常容易如果600A左右的模塊可換MJD44H11和D45H11，15A80V80M的速度足以秒殺！
48——96V工頻機主板使用
每個橋壁6只大管整機共24管，如果是TOP220的可裝48管
不知能否達到5KW，3個模塊組成3相4線15KW？還請高手賜教
來個正面照 RCD超強吸收
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先更新一下15KW的IGBT電路，非常簡單
MOS的使用電路一樣，工頻模式電感這個地方可以省去，也可以加一個電感減小空載，
當然這個電流就需要特別大了，具體可以根據(jù)實際需要來定！
