采用700V MOSFET電路可以承受交流380V輸入電壓，這樣設計的充電器可以在交流供電電壓差別很大的國家(如印度、俄羅斯、中國等)始終可靠工作。 提高效率需考慮的最后一個關(guān)鍵要素是EMI控制。根據(jù)國際上的兩大能效規(guī)范(EN 55022和CISPR 22 Class B)，產(chǎn)品必須符合EMI標準。電路設計自身必須產(chǎn)生較低的EMI。為不良設計添加抑制元件是我們所不提倡的，因為這樣會增加成本、占用空間和吸收更多的功率。可喜的是，LinkSwitch-II器件集成了多個可降低EMI的有用功能。振蕩器集成有頻率調(diào)制功能，可以擴展頻譜。電源在最高80kHz下工作時，峰值初級電流會低于最高頻率為45kHz的設計，這樣可以增加差模EMI裕量。這些功能以及E-Shield技術(shù)，大大簡化了所需EMI抑制元件的設計，只需采用一些扼流圈、電阻和電容。 如圖2所示，電路多個部分采取了防傳導及輻射EMI設計。在AC輸入部分，電感L1和L2以及電容C1和C2組成一個π型濾波器，對差模傳導EMI噪聲進行衰減。D5、R3、R4和C3組成RCD-R箝位電路，用于限制漏感引起的漏極電壓尖峰。電阻R4的值較大，用于避免漏感引起的漏極電壓波形振蕩。C6和R8用來限制D7上的瞬態(tài)電壓尖峰，并降低傳導及輻射EMI。這些元件可以使電源擁有10dB以上的裕量，輕松滿足EN 55022和CISPR 22 Class B標準。
上圖為采用PI器件設計的電源電路樣品，只需為數(shù)不多的元件即可設計出這種高效率充電器/適配器，并且完全滿足EMI、安全性及耐用度等要求。 本設計所取得的效率要比能源之星EPS 2.0版規(guī)范的5W電源效率要求高6%，但相比之下，低于50mW的超低空載功耗也許更加意義非凡。假設充電器在充完電后長期插在插座上，那么與能源之星EPS 2.0版規(guī)范的要求相比，這種超低空載功耗在總能量節(jié)省中的貢獻率可以達到90%以上。
