圖所示為一個使用INN2605K設計的低成本12 V、2 A電源的電路圖。這款單路輸出設計達到DOE 6級和EC CoC 5標準。InnoSwitch-EP器件所具有高集成度可將元件數從50個以上減少到僅39個。

橋式整流管BR1對AC輸入供電進行整流。電容C2和C3對整流AC輸入提供濾波，與電感L1一起形成π型濾波器，對差模EMI進行衰減。電容C14連接到帶輸出共模扼流圈的電源輸出端，有助于降低共模EMI。

熱敏電阻RT1可在電源連接至AC輸入供電時限制浪涌電流。

輸入保險絲F1可防止電源中任意元件的嚴重故障所導致的輸入電流過大。變壓器初級的一端連接到整流DC總線，另一端連接到InnoSwitch-EP IC (U1)內MOSFET的漏極端子。

由二極管D2、電阻R1和R2以及電容C5組成的低成本RCD箝位可在U1內的MOSFET關斷的一瞬間立即控制U1的峰值漏極電壓。箝位有助于耗散存儲在變壓器T1的漏抗中的能量。

InnoSwitch-EP IC具有自啟動功能，當首次AC上電時，它使用內部高壓電流源對BPP引腳電容(C6)進行充電。在正常工作期間，初級側控制器從變壓器T1的輔助繞組獲得供電。輔助（或偏置）繞組的輸出端由二極管D1進行整流，并由電容C4進行濾波。電阻R3用于限制提供給InnoSwitch IC (U1)的BP引腳的電流。

輸出調整通過采用ON/OFF控制來實現，使能開關周期的數量根據輸出負載進行調整。在重負載下，大部分開關周期都被使能；在輕載或空載下，大部分周期都被禁止或跳過。一旦周期使能后，MOSFET將保持導通，直到初級電流逐漸增大到特定工作狀態的器件限流點。該IC設定了四種工作狀態（限流點），以使初級電流開關模式的頻率分量保持在音頻范圍之外，直到輕載時，變壓器磁通密度以及因此產生的音頻噪聲都處于極低水平。

InnoSwitch-EP IC的次級側提供輸出電壓、輸出電流檢測并驅動提供同步整流的MOSFET。變壓器的次級分別由二極管D3整流和由電容C12及C11濾波。開關瞬態期間的高頻率振鈴通過緩沖器（電阻R6和電容C9）降低，否則高頻率振鈴會產生輻射EMI。

為降低二極管D3中的耗散，同步整流(SR)由MOSFET Q1提供。Q1的柵極由IC U1內的次級側控制器根據繞組電壓（通過電阻R7檢測）進行導通，并饋入IC的FWD引腳。

在連續導通模式下，MOSFET就在次級側下達初級側請求的新開關周期指令之前關斷。在非連續導通模式下，功率MOSFET會在MOSFET的電壓降低于約24 mV閾值時關斷。初級功率MOSFET的次級側控制可避免兩個MOSFET發生任何交越導通，并提供極為可靠的同步整流。由于SR MOSFET在整個開關周期內都不導通，仍需要使用小尺寸的小電流二極管(D3)來獲得最高效率。

IC的次級側從次級繞組正向電壓或輸出電壓自行供電。連接至InnoSwitch IC U1的BPS引腳的電容C8可提供內部電路去耦。

在恒流(CC)工作期間，當輸出電壓降低時，器件將直接從次級繞組自行供電。在初級側功率MOSFET導通期間，出現于次級繞組的正向電壓用于通過電阻R7和內部穩壓器對去耦電容C8充電。這可以使恒流輸出調節維持在~10 V。在此水平之下時，電源會進入自動重啟動模式，直到輸出負載降低。

輸出電流通過一個約33 mV的閾值在IS與GND引腳之間進行檢測，用以降低損耗。一旦超過電流流檢測閾值，器件將調節開關脈沖數以維持固定的輸出電流。在輸出短路等故障情況下，大電流將流經電流檢測電阻R8和R9，這是由于輸出電容C12和C11通過短路進行放電。

輸出電壓通過電阻分壓器R10和R11進行檢測。對輸出電壓進行調整，以便在反饋引腳實現1.265 V的電壓。電阻R12和電容C13形成相位超前網絡，可確保瞬態負載期間保持穩定工作并降低輸出電壓過沖和下沖。電容C10提供反饋引腳信號的噪聲濾波。

電阻R4和R5提供輸入電壓檢測，并向U1提供與電容C3的DC電壓成正比的電流。在約為100 VDC時，流經這些電阻的電流會超過輸入欠壓閾值，從而使能U1。在約為435 VDC時，流經這些電阻的電流會超過輸入過壓閾值，從而禁止U1。