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請(qǐng)教個(gè)EMI 問題，解EMI高手請(qǐng)移步進(jìn)來看看！

如題：現(xiàn)有5V12A 6USB輸出案子，在公司機(jī)器上預(yù)掃情況如附件圖，傳導(dǎo)還好，輻射超了！在此尋求各方整改建議，至少在自己公司先掃過再去實(shí)驗(yàn)室燒錢??！附件效果已作出如下整改:  1：高壓MOS D極和吸收二極管套磁珠，                                          2：使用2個(gè)Y電容（初級(jí)大電容正負(fù)極到次級(jí)地）。                                          3：高壓MOS  G.D間并了個(gè)10PF/1KV瓷片電容，這個(gè)效果最明顯，但是付出了0.8%的效率。請(qǐng)各位大神不吝賜教！

888888888

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2015-12-02 07:58
有沒有從變壓器著手，
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2015-12-02 08:36

不改變壓器的話。

30MHz位置，MOSFET換個(gè)品牌試試，10pF電容與驅(qū)動(dòng)電阻加大，整改EMI對(duì)效率是有影響的。

60MHz位置改RCD參數(shù)。

100M位置二極管RC吸收與串磁珠。（大的）

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2015-12-02 09:04
@417zhouge
不改變壓器的話。30MHz位置，MOSFET換個(gè)品牌試試，10pF電容與驅(qū)動(dòng)電阻加大，整改EMI對(duì)效率是有影響的。60MHz位置改RCD參數(shù)。100M位置二極管RC吸收與串磁珠。（大的）

謝謝你的建議,MOS品牌換了幾家了，還是一樣的效果！現(xiàn)在只能試著跳跳吸收參數(shù)了。

對(duì)于驅(qū)動(dòng)電阻和吸收的參數(shù)的確定，怎么樣擇中選著，如何沖波形上判斷，經(jīng)驗(yàn)少，還望不吝賜教！

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2015-12-02 09:22
@guduyuanyuai
謝謝你的建議,MOS品牌換了幾家了，還是一樣的效果！現(xiàn)在只能試著跳跳吸收參數(shù)了。對(duì)于驅(qū)動(dòng)電阻和吸收的參數(shù)的確定，怎么樣擇中選著，如何沖波形上判斷，經(jīng)驗(yàn)少，還望不吝賜教！

現(xiàn)在你用測試傳導(dǎo)的分析儀看不太準(zhǔn)，因?yàn)橹荒芸吹捷斎刖€上發(fā)出去的，從PCB出去的輻射看不到。

我們的做法是整改20-30M為往下的趨勢，不能往上翹?，F(xiàn)在這個(gè)圖估計(jì)不理想。MOSFET驅(qū)動(dòng)可以做到33+（33并聯(lián)4148）。

整改里面變壓器是大輻射源，有條件的話，自己做幾種變壓器當(dāng)場測試，希望是最大的。變壓器繞法可以參考論壇里面的精華貼。

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2015-12-02 09:41
@417zhouge
現(xiàn)在你用測試傳導(dǎo)的分析儀看不太準(zhǔn)，因?yàn)橹荒芸吹捷斎刖€上發(fā)出去的，從PCB出去的輻射看不到。我們的做法是整改20-30M為往下的趨勢，不能往上翹?，F(xiàn)在這個(gè)圖估計(jì)不理想。MOSFET驅(qū)動(dòng)可以做到33+（33并聯(lián)4148）。整改里面變壓器是大輻射源，有條件的話，自己做幾種變壓器當(dāng)場測試，希望是最大的。變壓器繞法可以參考論壇里面的精華貼。
留個(gè)QQ，我把資料給你看看，看有哪些不合理的！
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2015-12-02 10:27
@guduyuanyuai
留個(gè)QQ，我把資料給你看看，看有哪些不合理的！
上面幾位已經(jīng)講得很到位了，問題應(yīng)該容易解決，建議不要加電容,從其他幾個(gè)方面下手解決。
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2015-12-02 10:41
@guduyuanyuai
留個(gè)QQ，我把資料給你看看，看有哪些不合理的！

搞傳導(dǎo)輻射，就是燒錢燒出來的。

你先整整看看效果，發(fā)圖出來大家一起討論。

變壓器做的好就成功一大半了。

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andy6
LV.6
9
2015-12-02 12:15
@417zhouge
搞傳導(dǎo)輻射，就是燒錢燒出來的。你先整整看看效果，發(fā)圖出來大家一起討論。變壓器做的好就成功一大半了。
先不要加10PF/1KV瓷片電容，調(diào)節(jié)一下驅(qū)電電阻試一下，看一下輻射會(huì)不會(huì)下來
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Rachelmi
LV.9
10
2015-12-02 14:30
@andy6
先不要加10PF/1KV瓷片電容，調(diào)節(jié)一下驅(qū)電電阻試一下，看一下輻射會(huì)不會(huì)下來
調(diào)的怎么樣額
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2015-12-02 15:36
一般來說傳導(dǎo)出問題改變壓器前端，輻射出問題改變壓器后端，我建議變壓器磁芯外包銅皮，然后改一下輸出二極管的RC吸收回路參數(shù)
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chuangmao
LV.7
12
2015-12-03 14:42
@guduyuanyuai
謝謝你的建議,MOS品牌換了幾家了，還是一樣的效果！現(xiàn)在只能試著跳跳吸收參數(shù)了。對(duì)于驅(qū)動(dòng)電阻和吸收的參數(shù)的確定，怎么樣擇中選著，如何沖波形上判斷，經(jīng)驗(yàn)少，還望不吝賜教！
用NDF10N60ZG 試下，應(yīng)該有用，我做過同樣5V 12A多USB電源。
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2015-12-03 20:03
@chuangmao
用NDF10N60ZG試下，應(yīng)該有用，我做過同樣5V12A多USB電源。

溫升怎么樣？

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liu_yaer
LV.6
14
2015-12-03 21:31
@皓天圖1688
一般來說傳導(dǎo)出問題改變壓器前端，輻射出問題改變壓器后端，我建議變壓器磁芯外包銅皮，然后改一下輸出二極管的RC吸收回路參數(shù)
磁芯接地了
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2015-12-05 16:49

你這個(gè)板子搞定了么，可以搞點(diǎn)資料來研究下不

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liu_yaer
LV.6
16
2015-12-06 22:43
@Rachelmi
調(diào)的怎么樣額
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Rachelmi
LV.9
17
2015-12-09 15:52
@liu_yaer
[圖片]
笑啥，說哈
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