看到Javike版的干貨貼《全球領先的內絕緣新型MOSFET深度測試 》
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介紹了內絕緣MOS管安裝的方便性和良好的導熱性，引起了廣大工程師網友的極大關注，當然也引起了半導體業界我們的關注，本著探索科學真理的態度，為了論證內絕緣MOS管是否真的具有這么良好的導熱性，我們技術部門的同事也做了大量的分析和實驗。為了便于對比，我們用內絕緣的MOS對比了采用英飛凌在華天科技封裝的的全包封220的同等工藝的我們的MOS管。
先開個頭慢慢講。
在功率MOSFET與散熱片組裝過程中，為達到漏極與散熱器的絕緣目的，半包封的TO-220產品需采用絕緣片+絕緣粒子的方式。這種方式不但增加了材料和人工成本，同時其成品率與可靠性也難以得到保障，更會出現產線檢測時絕緣可以測試通過，而出廠后再出現絕緣失效的現象。
為解決這一問題，前期主要是用TO-220F封裝，但由于其導熱、散熱能力稍差，在很多功率耗散大的場合難以全面推廣。近一年，內絕緣型封裝以其自身絕緣能力、較好的導熱（先打個？）、散熱性能得到了市場的認可。但內絕緣型封裝由于生產工藝復雜、框架與背面基板剝離強度差等問題。
西安后羿半導體以封裝技術為突破口，在TO-220F傳統封裝工藝上從結構和材料上進行了改進，推出的TO-220MF封裝，在保持自身絕緣耐壓的優良性能的同時，使其傳熱能力得到了大幅提高。
本實驗測試內絕緣型和后羿新型TO-220MF在同等功率耗散下，對比其導熱和散熱的能力，看看內絕緣MOS的導熱能力是否真的很好。
