我要設(shè)計(jì)一款高位取能電源，輸入DC4500V,輸出24VDC(50W)/400VDC(20W),初步方案：兩級(jí)設(shè)計(jì)：
1級(jí)：4500V 轉(zhuǎn)成300V(BUCK)
2級(jí)：300V轉(zhuǎn)成24VDC(50W)/400VDC(20W) （單端反激）
這里還有些技術(shù)點(diǎn)：打算選1500V的MOSFET，因?yàn)镽on比較小，發(fā)熱小一點(diǎn)，這就涉及到MOSFET隔離串聯(lián)驅(qū)動(dòng)的問(wèn)題
還有，有沒(méi)有可能只通過(guò)1級(jí)單端反激實(shí)現(xiàn)，但是占空比就太低了，不知道能不能做穩(wěn)定
諸位有啥經(jīng)驗(yàn)分享一下？
簡(jiǎn)單的串聯(lián)方式是不行的，為什么，因?yàn)椋_關(guān)管的參數(shù)，即管子的快慢不一樣的呀，就是各組RC吸收也不大行的，而且損耗太大了，用什么辦法呢，就是通用900伏六組六電平，每一組電容一個(gè)雙管半橋，完全同步，因?yàn)椋绕鹞掌麟娙萏∽饔梅浅Ｐ。谶@里用電容分壓的電容值是比較大的，我們?cè)谳斎?00伏用三電平600伏開關(guān)管相加達(dá)到1200伏，900伏是可以的，這個(gè)電解電容大，完全不是問(wèn)題，就是完全同步控制就可以了。
同樣，4500伏也是多組多電平的方法是可以做到的，電容值比較大，就算有點(diǎn)不那么，開關(guān)管快慢不一致，但誤差非常小，串聯(lián)的電流是一樣的，有一點(diǎn)不對(duì)稱的話，占空比高的這個(gè)電壓低了一點(diǎn)，但實(shí)際上各組電壓基本是一樣的，如果非常對(duì)稱，那么電壓完全一樣，實(shí)際誤差非常小，如果不這樣的話，電壓不對(duì)稱不平衡，管子會(huì)擊穿的，非常不可靠，實(shí)際一定不行的，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于開關(guān)管電壓了，非常危險(xiǎn)了。
請(qǐng)問(wèn)隔離驅(qū)動(dòng)是如何實(shí)現(xiàn)的？最好有原理圖，謝謝
能不能給個(gè)900V兩電平的原理圖，謝謝。
我郵箱nate709@163.com
就是用大一點(diǎn)的磁環(huán)，如果說(shuō)六組，就是14根細(xì)包皮線并繞，兩根一組，六組就是12了，再二根是初級(jí)，匝數(shù)一概一樣，那么，多少每組電感量多少呢，以100千赫就是1毫亨，低了幾倍就是高了幾倍，如果用40千赫就是3毫亨了。包皮線必須耐高壓的。磁環(huán)要用導(dǎo)磁錄高的如7000以上了。否則匝數(shù)就多了。當(dāng)然，我是不會(huì)發(fā)900伏的電路原理圖的，我做的就是三電平的，效果是不錯(cuò)的，其實(shí)，這個(gè)早在我在科陸電子時(shí)就做過(guò)的。
如您所言平衡不好的話很容易出問(wèn)題。特別是大功率情況下。
請(qǐng)問(wèn)這樣的結(jié)構(gòu)您最大功率做到過(guò)多大？
你的擔(dān)心完全是多余的，五貼才是危險(xiǎn)的，電解電容的容量非常大，如果RC吸收這個(gè)容量就非常小了，其實(shí)，真正做法非常普遍，比如，1萬(wàn)多伏的十幾只串聯(lián)，電壓更高了，有問(wèn)題嗎，沒(méi)有呀，我做過(guò)的是3000瓦的，完全可行的，不是問(wèn)題，有時(shí)就是這樣，高考慮的沒(méi)有，不該考慮的又多心多余了，是不是這樣。同一個(gè)芯片控制，高度一致的，非常對(duì)稱，如果簡(jiǎn)單的串聯(lián)就不行了，電解電容是起到了平衡的作用了。
無(wú)論多大功率都是沒(méi)有問(wèn)題的，這個(gè)要可靠的多，簡(jiǎn)單串聯(lián)是不可靠的。
您的意思是同一控制下初級(jí)串聯(lián)，次級(jí)并聯(lián)，如果各個(gè)串聯(lián)模塊控制上沒(méi)有太大的delay就應(yīng)該是沒(méi)有問(wèn)題的對(duì)吧。
我會(huì)找機(jī)會(huì)試驗(yàn)一下。
非常感謝大俠的回復(fù)。
