擊穿電壓的增加和漂移層摻雜濃度的不斷降低，厚度不斷地增加，使作為電流通路的漂移層電阻升高，超結mosfet已成大勢

上面資料中有說過了，可以參考下資料中說的那個圖表，就知道差在哪里了。

超結MOSFET的特點

1.極低的傳導損耗

2.極大的電流能力

3.極低的柵極電荷Qg

4.低的開啟電壓

5.極快的開關速度

6.出色的UIS能力

7.百分百的雪崩能量擊穿測試

正是由于它的這么多優點，超結MOSFET已經開始被廣大用戶所接受。