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【場效應(yīng)晶體管與IGBT】第一講:場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)原理參數(shù)與分類知識

各位同學(xué)們好,萌萌老師再次與大家見面了!

在本期的教學(xué)課堂中,萌萌老師將會為大家著重講解場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)原理、參數(shù)知識以及如何分類,幫助大家更進(jìn)一步的了解電子元器件基礎(chǔ)知識!下面就讓我們開始本次的學(xué)習(xí)吧!


場效應(yīng)管的定義

場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管,簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。


QQ截圖20150525164009

場效應(yīng)管


場效應(yīng)管的特點(diǎn):場效應(yīng)管具有輸入電阻高(107-1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?/span>等優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。


場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理

結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理

N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)如圖所示。


圖片5

結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖

它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)PN結(jié),形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個(gè)P區(qū)即為柵極,N型硅的一端是漏極,另一端是源極。


結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理

以N溝道為例說明其工作原理。

當(dāng)UGS=0時(shí),在漏、源之間加有一定電壓時(shí),在漏源間將形成多子的漂移運(yùn)動(dòng),產(chǎn)生漏極電流。

當(dāng)UGS<0時(shí),PN結(jié)反偏,形成耗盡層,漏源間的溝道將變窄,ID將減小,UGS繼續(xù)減小,溝道繼續(xù)變窄,ID繼續(xù)減小直至為0。

當(dāng)漏極電流為0時(shí),所對應(yīng)的柵源電壓UGS稱為夾斷電壓UGS(off)。


絕緣柵場效應(yīng)三極管的工作原理

絕緣柵場效應(yīng)三極管分為:耗盡型→N溝道、P溝道;增強(qiáng)型→N溝道、P溝道

QQ截圖20150525164359

絕緣柵場效應(yīng)三極管示意圖


(1)N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管

N溝道耗盡型是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。

所以當(dāng)UGS=0時(shí),這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層,形成了溝道。于是,只要有漏源電壓,就有漏極電流存在。當(dāng)

UGS>0時(shí),將使ID進(jìn)一步增加。

當(dāng)UGS<0時(shí),隨著UGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對應(yīng)ID=0的UGS稱為夾斷電壓,用符號UGS(off)表示,有時(shí)也用UP表示。

N溝道耗盡型的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖所示:


圖片6

溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)和轉(zhuǎn)移特性曲線


(2)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管

結(jié)構(gòu)與耗盡型類似。但當(dāng)UGS=0V時(shí),在D、S之間加上電壓不會在D、S間形成電流

當(dāng)柵極加有電壓時(shí),若0UGS(th)時(shí),形成溝道,將漏極和源極溝通。如果此時(shí)加有漏源電壓,就可以形成漏極電流ID。

在UGS=0V時(shí)ID=0,只有當(dāng)UGS>UGS(th)后才會出現(xiàn)漏極電流,這種MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。

N溝道增強(qiáng)型MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線,如圖所示。

圖片7

N溝道增強(qiáng)型MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線

(3)P溝道MOS管

P溝道MOS管的工作原理與N溝道MOS管完全相同,只不過導(dǎo)電的載流子不同,供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。


場效應(yīng)管的圖形符號都有哪些呢?

萌萌老師為大家整理了一張圖表:

圖片8

圖為各種場效應(yīng)管的圖形符號及參數(shù)比較


場效應(yīng)管是如何分類的

場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;

按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。

場效應(yīng)晶體管:結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。其中,MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型、增強(qiáng)型、P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)

結(jié)型場效應(yīng)管的分類結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管


QQ截圖20150525164540

結(jié)型場效應(yīng)管實(shí)物


結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,它們是:柵極;漏極;源極電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?/span>

結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例):

N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號,由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū)。

當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流ID就愈小

反之,如果柵極電壓沒有那么負(fù),則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說,場效應(yīng)管是電壓控制元件。

絕緣柵場效應(yīng)管

絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)的分類:絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道型和P溝道型無論是什么溝道,它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種


QQ截圖20150525164622

圖為絕緣柵場效應(yīng)管實(shí)物


由于絕緣柵場效應(yīng)管是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成,所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管,簡稱MOS場效應(yīng)管。

絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管為例)

它利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。

在制造管子時(shí),通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID

當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

場效應(yīng)管的工作方式有兩種:

當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型;

當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零時(shí),必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。


在工作過程中,場效應(yīng)管的主要參數(shù)都有哪些呢?

直流參數(shù)

飽和漏極電流IDSS當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí),對應(yīng)的漏極電流。

夾斷電壓UP:當(dāng)UDS一定時(shí),使ID減小到一個(gè)微小的電流時(shí)所需的UGS。

開啟電壓UT:當(dāng)UDS一定時(shí),使ID到達(dá)某一個(gè)數(shù)值時(shí)所需的UGS。

交流參數(shù)

交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個(gè)參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達(dá)100mS,甚至更高。

低頻跨導(dǎo)gm它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。

極間電容場效應(yīng)管三個(gè)電極之間的電容,它的值越小表示管子的性能越好

極限參數(shù)

最大漏極電流是指管子正常工作時(shí)漏極電流允許的上限值

最大耗散功率是指在管子中的功率,受到管子最高工作溫度的限制

最大漏源電壓是指發(fā)生在雪崩擊穿、漏極電流開始急劇上升時(shí)的電壓

最大柵源電壓是指柵源間反向電流開始急劇增加時(shí)的電壓值


場效應(yīng)管在使用時(shí)主要關(guān)注的參數(shù)

IDSS—飽和漏源電流

是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。

UP—夾斷電壓

是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。

UT—開啟電壓

是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。

gM—跨導(dǎo)

該參數(shù)表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。

gM是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。

BUDS—漏源擊穿電壓

是指柵源電壓UGS一定時(shí),場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。

這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。

PDSM—最大耗散功率

也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。

使用時(shí),場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。

IDSM—最大漏源電流

這是是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM。


今天的課堂到這里就結(jié)束了,在下一期的教學(xué)過程中,萌萌老師將會與大家一起學(xué)習(xí)IGBT的相關(guān)知識和工作原理,小伙伴們我們下節(jié)課再會!

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