MOS管加個溫度保護(hù)就可以了

MOS管加溫度保護(hù)只是保護(hù)MOS管沒有被燒壞而已,根本不治標(biāo),對于大功率無風(fēng)扇產(chǎn)品用全橋電路比較好

那看你的效率怎樣,散熱方法是如何搞的

那大俠有沒有好的解決方法,或有全橋的方案,可否發(fā)一份給我

驅(qū)動不是很好,T3有飽和的危險,應(yīng)在T3原邊串入2uF左右無極性電容隔離直流分量,防止T3飽和.
在主Mosfet的GS間并個10K電阻,防止干擾導(dǎo)致開關(guān)管誤動作.
注意上下管之間應(yīng)有足夠的死區(qū)時間且10V25V.
感覺MUR460出1000W有點小,沒仔細(xì)計算.

效率應(yīng)該有90%,應(yīng)該是散熱片小了
還有一種可能是你的驅(qū)動不夠,
不要采用MOSFET,選用IGPT管,可以減小MOS內(nèi)部的二極管的損耗

MUR460不是二極管嗎?怎么成的MOS管了...建議樓主仔細(xì)看看自己的驅(qū)動波形,看管子的開通時間和關(guān)閉時間是否夠短,否則會加重管子的損耗.

不是MUR460是IRFP460,好的,謝謝

為什么會飽和,那只是個驅(qū)動變壓器,不會有很大電流把.

你工作時都沒測下關(guān)鍵元件的溫度和開關(guān)波形嗎!?整個電源工作是否穩(wěn)定的,電壓電流波形是否穩(wěn)定的,溫度有沒有超標(biāo).建議樓主先自己做個初步的分析.這樣大家才有方向嘛

老兄,工作十分鐘電源就保護(hù)了,這種電源賣給你要嗎!?

半橋的兩個IRFP460管子做1000W,太難想象了...管子的功率肯定不夠了....

說的好!MOSFET很勉強(qiáng).VDS間應(yīng)考慮加吸收電路.

在你的輸出整流橋后加一個電感就好了