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芯派mos，ID電流的詳細(xì)解讀

通常我們?cè)诳磎osfet datasheet的時(shí)候，檢查會(huì)出現(xiàn)多個(gè)id，并且不同溫度的出現(xiàn)的電流，感覺(jué)很迷茫。

下面是芯派的mosfet的一個(gè)datasheet。

QQ截圖20150507130456

QQ截圖20150507130610

上面的Id是100A，這個(gè)很好理解，就是連續(xù)工作電流，沒(méi)有標(biāo)注溫度，應(yīng)該就是25度常溫下了。

還有個(gè)Idm是400A，應(yīng)該是漏級(jí)脈沖電流，是偶然出現(xiàn)瞬間的電流情況可以是400A。

然而在很多mosfet上班看到的參數(shù)更加詳細(xì)，有時(shí)候就不知選那個(gè)作為連續(xù)工作電流了。

QQ截圖20150507130707

 

結(jié)點(diǎn)到背板的值(Rthj-mb)時(shí)，id在25度和100度的時(shí)候分別為46A和33A。這個(gè)參數(shù)應(yīng)該和上面的一個(gè)那個(gè)參數(shù)一樣；

然而Rthja的情況下，id在25度和100度的情況下分別是18.2和12.8A，這個(gè)就是因?yàn)闊嶙璨灰粯?，熱阻和電阻一樣。所以說(shuō)一般情況下mos管電流能夠工作在上面那個(gè)值的情況下是需要加散熱片的。對(duì)應(yīng)的熱阻還的加上散熱片的熱阻，比上面標(biāo)稱的電流實(shí)際會(huì)小點(diǎn)。不加散熱片應(yīng)該就是下面這個(gè)電流。

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datian
LV.6
2
2015-06-04 17:56
不加散熱片應(yīng)該看哪個(gè)參數(shù)值？Rthja的情況下那個(gè)？
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2015-06-04 20:32
@datian
不加散熱片應(yīng)該看哪個(gè)參數(shù)值？Rthja的情況下那個(gè)？
講的很詳細(xì)，不加散熱片就是ja，到空氣的熱阻，熱阻這個(gè)東西和電阻一樣。
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2015-06-04 23:17
@flowerhuanghua1
講的很詳細(xì)，不加散熱片就是ja，到空氣的熱阻，熱阻這個(gè)東西和電阻一樣。
一般要按 rja這個(gè)Id算，就是按小的情況算，這個(gè)應(yīng)該是無(wú)散熱的情況計(jì)算的。
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2015-06-05 13:14
加散熱片可能會(huì)更合適吧的。
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2015-06-05 13:59
@陌路絕途
加散熱片可能會(huì)更合適吧的。
對(duì)應(yīng)的熱阻還的加上散熱片的熱阻，
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k8882002
LV.9
7
2015-06-06 10:57
@陌路絕途
加散熱片可能會(huì)更合適吧的。
用的MOS管功率大了都要加散熱器散熱，這樣器件的壽命才會(huì)長(zhǎng)，除了你使用的功率小。
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2015-06-07 21:30
背板的值(Rthj-mb)時(shí)，id在25度和100度的時(shí)候分別為46A和33A。這個(gè)參數(shù)比較給力哈
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2015-06-07 21:32
@goodpower1
一般要按rja這個(gè)Id算，就是按小的情況算，這個(gè)應(yīng)該是無(wú)散熱的情況計(jì)算的。
id在25度和100度的情況下分別是18.2和12.8A，這個(gè)參數(shù)是受熱阻的影響而不一樣的吧
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power_hh
LV.5
10
2015-06-08 18:33
@萬(wàn)法歸宗
背板的值(Rthj-mb)時(shí)，id在25度和100度的時(shí)候分別為46A和33A。這個(gè)參數(shù)比較給力哈
建議芯派公司的mosfet也想國(guó)際大公司吧參數(shù)標(biāo)的更全一些，這樣看起來(lái)更專業(yè)。例如下面的在不同熱阻下能夠工作的電流值。
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power_hh
LV.5
11
2015-06-08 18:44
@power_hh
建議芯派公司的mosfet也想國(guó)際大公司吧參數(shù)標(biāo)的更全一些，這樣看起來(lái)更專業(yè)。例如下面的在不同熱阻下能夠工作的電流值。
芯派的封裝TO251貼片封裝的rja的熱阻怎么這么大。怎么有的貼片rja熱阻大，有的是插件rja熱阻大，是啥情況。
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2015-06-09 09:50
一般要按 rja這個(gè)Id算，就是按小的情況算，這個(gè)應(yīng)該是無(wú)散熱的情況計(jì)算的吧。
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luck2001
LV.3
13
2015-06-09 17:06
@極大愛立信
一般要按rja這個(gè)Id算，就是按小的情況算，這個(gè)應(yīng)該是無(wú)散熱的情況計(jì)算的吧。

為何要表Idm這個(gè)值，400A，是什么情況的值，瞬間，瞬間的時(shí)間是多少哈。

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2015-06-09 17:22
@luck2001
為何要表Idm這個(gè)值，400A，是什么情況的值，瞬間，瞬間的時(shí)間是多少哈。
芯派的片子參數(shù)還需要增加更加全面，id電流應(yīng)該取最小的
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hj2014
LV.3
15
2015-06-09 17:46
@小鳥依人
芯派的片子參數(shù)還需要增加更加全面，id電流應(yīng)該取最小的
相信芯派的mosfet做的杠桿的，參數(shù)也還不錯(cuò)，用起來(lái)發(fā)熱還好，溫升不是特別大。
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tanb006
LV.10
16
2015-06-09 19:15
@萬(wàn)法歸宗
id在25度和100度的情況下分別是18.2和12.8A，這個(gè)參數(shù)是受熱阻的影響而不一樣的吧

嗯，是受熱阻影響的。

實(shí)際選擇的時(shí)候會(huì)有個(gè)溫度曲線和ID對(duì)應(yīng)的圖。

能看到不同溫度下有多少電流。

再考慮自己的允許最高溫度，就能知道具體得控制在多大電流下了。

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2015-07-08 10:49
id在25度和100度的情況下分別是18.2和12.8A，這個(gè)參數(shù)是受熱阻的影響而不一樣的吧
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buer1209
LV.7
18
2015-07-08 12:27
很不錯(cuò)的介紹  在使用mosfet時(shí)要充分考慮散熱 如果能給出散熱設(shè)計(jì)就最好了
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2015-07-08 20:55
講的很詳細(xì)，不加散熱片就是ja，到空氣的熱阻，熱阻這個(gè)東西和電阻一樣。
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2015-07-09 19:04
應(yīng)該是漏級(jí)脈沖電流，是偶然出現(xiàn)瞬間的電流情況可以是400A。
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2015-07-10 23:22

我也碰到過(guò)類似的疑問(wèn)，剛剛還發(fā)了個(gè)帖子求助。

關(guān)于mosfet散熱，一直是大家關(guān)心的熱點(diǎn)問(wèn)題啊，感覺(jué)芯派在這方面做的還是挺到位的。

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fredsdu
LV.3
22
2015-07-15 09:50
id和溫度關(guān)系很大  不同溫度下最大電流肯定不一樣  設(shè)計(jì)時(shí)要考慮工作環(huán)境的溫度
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2015-08-05 15:20
講的很詳細(xì)，不加散熱片就是ja，到空氣的熱阻，熱阻這個(gè)東西和電阻一樣。
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2015-08-05 15:26
對(duì)應(yīng)的熱阻還的加上散熱片的熱阻，比上面標(biāo)稱的電流實(shí)際會(huì)小點(diǎn)。不加散熱片應(yīng)該就是下面這個(gè)電流。
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dakjncdc
LV.7
25
2015-08-05 17:53
講的很詳細(xì)，不加散熱片就是ja，到空氣的熱阻，熱阻這個(gè)東西和電阻一樣。
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2015-08-05 17:57
id在25度和100度的情況下分別是18.2和12.8A，這個(gè)參數(shù)是受熱阻的影響而不一樣的吧
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dakjncdc
LV.7
27
2015-08-06 13:37
id在25度和100度的情況下分別是18.2和12.8A，這個(gè)參數(shù)是受熱阻的影響而不一樣的吧
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bbs一哥
LV.5
28
2015-08-06 21:10
一般要按 rja這個(gè)Id算，就是按小的情況算，這個(gè)應(yīng)該是無(wú)散熱的情況計(jì)算的。
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2015-08-07 08:07
@bbs一哥
一般要按rja這個(gè)Id算，就是按小的情況算，這個(gè)應(yīng)該是無(wú)散熱的情況計(jì)算的。
對(duì)，一般都是按rja算，最小的情況算，加散熱片的又額外算。
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hk123456
LV.4
30
2015-08-07 08:21
@flowerhuanghua1
對(duì)，一般都是按rja算，最小的情況算，加散熱片的又額外算。
熱阻這東西和電阻一樣一樣的，大了就會(huì)不好，想做小不容易啊。
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2015-09-06 20:26
應(yīng)該是漏級(jí)脈沖電流，是偶然出現(xiàn)瞬間的電流情況可以是400A。
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