討論器件主要是MOSFET、IGBT、FRD、還有個別光耦、IC

1、感應加熱電源中IGBT開關管25N120

2、某輔助電源1500V MOSFET

3、 高壓大功率快恢復二極管

4、IGBT驅動光耦分析

最好會補充一個器件的開封方法

1、某感應加熱電源中的IGBT失效分析

IGBT型號：H20R12C3

infineon的可逆導IGBT，將續流二極管與IGBT集成在一起了。在滿載使用過程中突然損壞

RC-IGBT芯片結構如下，

未完，待續·······

普通IGBT與英飛凌可逆導IGBT的差別

普通IGBT由一個IGBT芯片+1個快回復二極管芯片組合而成。

而可逆導IGBT只有一個芯片

從散熱面積上將，可逆導IGBT的散熱比普通IGBT要差一些

開封后的普通IGBT與可逆導IGBT

普通IGBT（1200V 25A）

英飛凌可逆導IGBT(1200V 20A)

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這個失效的原因分析：

1、由于IGBT芯片的升級，芯片面積減小很多，導致芯片的結殼熱阻增大，最終表現為結溫比正常IGBT高

2、驅動電壓不合理，設計驅動電壓15V，實際實測IGBT的驅動電壓僅13V，所以IGBT沒有完成導通，工作狀態不理想，實際損耗比設計損耗偏高

結合IGBT芯片的失效表現，這個IGBT是過熱損壞（芯片中心裂開）

失效IGBT芯片現象

這段時間有點忙，更新的有點慢了

2、某輔助電源高壓MOSFET

用在1000Vdc輸入的電源中,半橋拓撲，功率300W，用的1600V的MOSFET

在調試過程中不知名原因導致2個MOSFET損壞

拿到器件后測量MOSFET的G、D、S，三個端都已經短路

只能直接開封看了

半橋的2個MOSFET的失效現象

第一個MOSFET

放大約到80倍左右后，基本可以MOSFET的晶胞了

失效原因歡迎大家討論、各抒己見

怎么開封的？

第二個MOS管的失效情況

開封的方法還是比較多的，簡單點的就用濃硫酸煮吧

我一般放在試管里邊煮

是的，我們的好多計算都是依據規格書里邊的參數計算的，規格書里邊的測試條件都是基于驅動電壓15V時的數據

實際在驅動三極管、驅動光耦等器件上會產生一定的壓降，設計時要是沒有考慮到這些誤差

實際測試損耗就和計算損耗大偏差就比較大，甚至出現驅動不足

如果是消費類產品，設計余量留的小，就更危險了

不是生產半導體的，草根用戶而已