好像是說(shuō)變壓器漏感引起的

現(xiàn)象正常。

說(shuō)個(gè)詳細(xì)的。

第一個(gè)iD， id交錯(cuò)時(shí)：mosfet電流id從峰值降到0，斜率由原邊漏感決定；副邊二極管電流 iD 從0到峰值，斜率由副邊漏感決定。這兩個(gè)過(guò)程同時(shí)開(kāi)始，同時(shí)結(jié)束。原邊電流下降的同時(shí)，最終會(huì)charge到mosfet的結(jié)電容Cds和變壓器寄生電容，由漏感和電容組成了震蕩回路。而電容上產(chǎn)生的峰值也就加在mosfet漏極上了。

第二個(gè)交錯(cuò)圖上寫了副邊二極管反向電流，只不過(guò)圖簡(jiǎn)單了，實(shí)際也是震蕩的。但凡有電感電容就肯定有震蕩。

那id降到0時(shí)，是不是跟vds一樣，就是說(shuō)漏感和電容的諧振，兩個(gè)都是這樣的原因。

是的。先有電流震蕩，才可以看到電壓震蕩。

這是哪個(gè)手冊(cè)，發(fā)給我看看？