下一代高功率密度電源的效率現(xiàn)在能達(dá)到什么水平?
下一代高功率密度電源的效率
全部回復(fù)(7)
正序查看
倒序查看
@ybw123
具有典型效率高達(dá)90%的一流功率密度和低漏電水平。
提高功率密度無(wú)非是要提高開(kāi)關(guān)頻率使體積變小。
硅高壓半導(dǎo)體的物理特性決定了頻率,一般400V以上的器件超過(guò)200KHZ的頻率,管子發(fā)熱很?chē)?yán)重,損耗會(huì)成倍的加大。
新型材料氮化鎵MOSFET可以解決這問(wèn)題。 氮化鎵材料適合高頻,600V以上的器件可以工作在1M以上。幾百K是很簡(jiǎn)單的事。同時(shí)高頻后并不會(huì)帶來(lái)多少額外的損耗。
下圖表示了硅,碳化硅,氮化鎵三者的高頻,與損耗關(guān)系。可以看出,氮化鎵有明顯的高頻優(yōu)勢(shì)。
氮化鎵可以做到1M HZ的開(kāi)關(guān)頻率的LLC,1000W的電源可以做到10cm *10cm.效率必須要高,否
則熱的問(wèn)題無(wú)法解決。
這么多年來(lái),我們的電子技術(shù)發(fā)展基本上還是那幾個(gè)拓?fù)洌骷陌l(fā)展可以為電源帶來(lái)質(zhì)的變化。
更多請(qǐng)看資料。
可以很好地應(yīng)用在LLC電源,PFC電路,半橋,全橋電路上。逆變電源。。。。
有些IE/瀏覽器不支持附件下載,請(qǐng)下載google chrome,它支持所有下載。
本人親測(cè)。請(qǐng)理解與支持。或你自己下載試下其它的IE瀏覽器。
有安裝 迅雷 的朋友,可以點(diǎn)擊右鍵下載,這樣更快。
更多資料請(qǐng)從這里下載: http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
0
回復(fù)