BP2329A ---非隔離/APFC技術(shù)；

                      外置高壓功率MOSFET，40W以內(nèi)；

                      溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍；                           

                      單繞組電感；

                      自帶OVP保護；

                      恒流精度極高；

                      通過EMI測試 

BP2329A特點：

? 高功率因素（0.969@220Vac，滿載）

? 高效率（ 90.2%@220Vac，滿載）

? 高精度線性調(diào)整率（±0.2%@90Vac~265Vac，滿載）

? 高精度負載調(diào)整率（±0.2%@220Vac，Vo：36V~76V）

? 具有多種保護功能，可靠性高? 體積小

（長*寬*高= 105*16*10 mm）

? 總元件數(shù)少，成本低

BP2325A、BP2326A、BP2327A （PIN腳位） ---  非隔離/APFC技術(shù)；

                      內(nèi)置高壓功率MOSFET（500V/650V）,分別是8W/12W；

                      溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍；                           

                      單繞組電感；

                      自帶OVP保護；

                      恒流精度極高；

                      通過EMI測試 

BP2326A特點：

? 高功率因素（0.899 @ 220Vac，滿載）

? 高效率（ 88.7 @ 220Vac，滿載）

? 高精度線性調(diào)整率（±0.51% @ 85Vac~265Vac，滿載）

? 高精度負載調(diào)整率（±0.00% @ 220Vac，Vo：15V~50V）

? 具有多種保護功能，可靠性高? 通過EMI測試，且有足夠裕量

? 體積小（長*寬*高= 52.5*26*16 mm）

? 總元件數(shù)少，成本低