大家有沒有在MOS管的應用中遇到問題的進來聊聊。
MOS管的損傷機理一般有這么幾種1.過壓損壞,包含柵極過壓,漏極過壓,過壓后往往伴隨過流,如果很短的時間內被保護了就是單純的過壓損壞,此時可以看出源極非打線區域會有小黑點,顏色可能不是很深。如果過壓后沒有保護然后進入過流損壞,芯片在源極非打線區域會出現大面積燒黑。
2.大電流,如嚴重過流短路損壞,純粹的過流損壞會在源極的打線區域產生大量的熱量,會在壓線部位周圍燒黑一大片。
3.過熱損壞,如果MOS管不過流也不過壓,只是因為結溫過高損壞,如果被保護了,表面會看不出明顯的燒傷,要是沒有被保護,會出現2一樣的現象。
4.MOS管損傷的機理都是歸根到底都是熱損壞,局部晶包過熱或整體發熱,比如過壓,也是耐壓低的晶包先擊穿發熱損壞慢慢擴大。
所以MOS管的失效分析還是要根據具體電路和燒傷現象相結合才能分析得比較準確,圖中的MOS從燒傷現象來看,只能說明不是長時間過大電流所致。

在這個MOS管的漏極和源極都串聯有保護器件,正負熔斷電阻都開顱了
開了幾個MOS現象都是一樣的,確實是過流,只是被保護了,故障沒有進一步擴大
內阻越大電流就越小嗎,我看有的管子,比如DTS6400人家接2Desktop.rar0W都不會壞,我接2W就燒了

鐘工,厲害

關于柵極電容問題求解:
設計一塊使用PWM方式的負載電路,使用單片機產生30KPWM,用IR2110做驅動,每通道驅動一個IRFP4468(見圖1)。使用一段時間各項功能基本正常,溫升也可以接受(平均電流在25A以內時,管子表面溫度在55度以內,平均電流高于25A,溫度急劇上升)。驅動GS端波形見圖2
但考慮到IRFP4468國內正品價格高不好買,拆機件品質也無法保證,所以選了HY5110W進行替換,僅替換管子,其他電路一律不變。
裝上HY5110W后發現管子溫升較大,后用示波器觀測GS端波形發現驅動波形明顯變形,感覺是管子輸入電容過大造成的充放電延時(見圖3),于是拆下管子使用電容表測量G_S電容,實測約17000pF,居然和手冊上的參數相符,這些有點蒙了,既然和手冊參數一致,為什么還會驅動不起來呢?難道我的表有問題,量的不準?于是又找出手頭的IRFP250、HY1620W等其他管子進行測量,發現測量值也都和手冊上Ciss標稱值相符,那就排除了電容表測量誤差問題,但是測量IRFP4468時卻發現實測只有月4000pF,而手冊上標的19800pF,為什么實測結果會比手冊標稱值小那么多,怪不得使用IR2110驅動時輕輕松松,沒發現什么問題,而換用HY5110卻很難驅動。
問題來了,
1.IRFP4468實測G_S端電容約4000pF正常嗎?有那位大俠了解這個管子的,我現在有點擔心買到的IRFP4468是否為假貨?
2.如果買到的4468為假貨,那么肯定是奸商用其他型號的管子改的,有那位大俠知道用什么型號的管子改比較好,因為我發現手頭的4468用在我這個場合確實沒問題,與其買假的4468還不如穩妥點買個和4468相近的其他管子呢(我的電路峰值電流=30V/0.25歐=120A,正常工作電壓30V左右,最高電壓會瞬間達到80V左右,設計的管子平均電流20A,)。
3.如果確定我的4468是假貨,那么真的4468肯定輸入電容比HY5110還大,使用IR2110勢必更難驅動,那位大俠能推薦一個能驅動這種級別牛管的驅動芯片啊?