現在LED非隔離電源方案異常火爆，自從SL發力后便一發不可收拾。非隔離電源的春天似乎再次到來。但同時也給廣大從事LED電源開發的工程師帶來了不少的苦惱，因為對于目前LED電源方案越來越精簡，可操作性太強，從而導致我們這些電源工程師的操作空間是越來越少。所以在性能方面都是大同小異，就看誰高性價比！這里所說的高性價比是在滿足安規（EMC部分）的情況下，高效低溫升，高恒流精度的情況下越便宜越好。

 

 電源參數：190-265  輸出：72V 0.24    方案芯片：SL 69系列

 

 初始樣機圖——實測EMI傳導和輻射最小余量大于10DB/UV，浪涌等級實測滿足CLASS 3(差模2KV)

 

精簡后的樣機圖——去掉X電容和EE12共模，整流后L前多加一個CBB組成一個π，還能再簡不，沒敢往下想！大家可以試試！

 

精簡樣機電參數測試中——輸出：17.12W  輸入：18.47W  效率：92.6%（常規）

 

精簡樣機EMI測試——自家自制鐵皮房,外界干擾衰減60-85DB，圖形無毛刺

 

點燈后，EMI測試——科環的KH3932，CDN網絡測輻

此儀器對比實驗室的儀器，傳導圖形基本一致。由于是CDN的測法和電波暗室輻射圖形曲線會有出入，但整體的余量是一致，

只是出現的位置不一樣而已。

 

傳導L線圖形——N線圖形基本一致，最小余量在17M前后，由于沒有手動打點，目測QP余量應該大于4個DB/UV

 

 從圖形上可以看輸出此電源的開關頻率在55K左右，整體走勢很平（特別是1M至10M之間），明顯共模抑制欠缺

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CDN輻射圖形——最小余量 40M前后，目測余量應該大于5個DB/UV，未精簡前最小余量是大于10DB/UV，所以EMI器件的

                       減少也會影響到整體輻射的余量

 

雖然從圖形看，余量不是很足，但EMI還是可以通過。不過本人不太建議如此的精簡，特別交流側已無任何EMI器件，電源似乎在裸奔，EMS抗干擾特性將會差很多。所以我會繼續按照初始樣機的方式去做產品。您覺得了？