光耦A(yù)CPL-337J能驅(qū)動(dòng)SiC器件SCH2080KE嗎？

各位工程師，你們好：

我遇到一個(gè)問題，想請(qǐng)教下各位。我計(jì)劃采用SiC器件SCH2080KE做一個(gè)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，要求驅(qū)動(dòng)電路具有保護(hù)功能，開關(guān)頻率為100kHz。擬采用光耦A(yù)CPL-337J作為驅(qū)動(dòng)芯片。附件是SiC器件和光耦的數(shù)據(jù)手冊(cè)。337J的數(shù)據(jù)手冊(cè)中，很多參數(shù)都是在10kHz開關(guān)頻率的情況下給出的，所以不清楚是否它能驅(qū)動(dòng)100kHz的SiC器件。請(qǐng)問該從哪些方面考慮這個(gè)問題呢？

附件在1樓。

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ljxnuaa

LV.1

2014-05-22 10:55

sch2080ke.pdf

AV02-4390EN_DS_ACPL-337J_2014-05-09.pdf

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legendacer

LV.4

2014-05-22 23:39

@ljxnuaa

sch2080ke.pdfAV02-4390EN_DS_ACPL-337J_2014-05-09.pdf

337推薦應(yīng)用與IGBT，里面有些引腳功能專門用于IGBT的過流保護(hù)。

最大延遲時(shí)間250ns，對(duì)100Khz來說有點(diǎn)偏大了，建議重新選型。

SIC驅(qū)動(dòng)電壓，高電平建議在16到18V，低電平給個(gè)負(fù)壓，負(fù)3V左右。

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ljxnuaa

LV.1

2014-05-23 21:23

@legendacer

337推薦應(yīng)用與IGBT，里面有些引腳功能專門用于IGBT的過流保護(hù)。最大延遲時(shí)間250ns，對(duì)100Khz來說有點(diǎn)偏大了，建議重新選型。SIC驅(qū)動(dòng)電壓，高電平建議在16到18V，低電平給個(gè)負(fù)壓，負(fù)3V左右。

嗯啊，本打算用337做SiC器件的驅(qū)動(dòng)，可以用它的過流保護(hù)功能。如果采用數(shù)字控制，本來就有1.5個(gè)開關(guān)周期(15us)的控制延時(shí)，250ns應(yīng)該影響不大吧？請(qǐng)問你能否推薦個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)的光耦，關(guān)鍵是有過流保護(hù)功能的。

謝謝！~

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