標(biāo)題:120W APFC+QR-Flyback EMI 150K-1M干擾嚴(yán)重之誘因

電源參數(shù)：Input/90-265V Output/43V 最大恒流2.5A （恒流點(diǎn)Adj）效率 /MAX 89.4@265VAC

經(jīng)過幾番的整改，發(fā)現(xiàn)CE 150-1M的干擾比較嚴(yán)重，PK值與AV值重疊，AV值余量非常小，PK值有6DB余量，目前

EMI器件的匹配加量比較重：

整流前級(jí)10MH+474+20MH+224 整流后級(jí) π型 474+200UH+474 Y對(duì)地222 初次級(jí)Y332

PFC電感外銅箔接地變壓器外銅箔接地

雖然加大EMI阻抗匹配的量或者是EMI器件位置的調(diào)整，對(duì)CE有改善，但真正的誘因不在此，可能與變壓器整流管反向恢復(fù) MOS dv/dt都有關(guān)系，

我用示波器形成接地環(huán)分別靠近APFC電感變壓器次級(jí)整流管，發(fā)現(xiàn)APFC電感的干擾反而非常小，最大是變壓器，次之是整流管。

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daihui713

LV.6

2014-05-09 21:37

看著帖子快要沉了，自己來頂一個(gè)。

方案搭配：昂寶6563+2203，磁芯搭配：PQ2620+PQ3230

本身反激的效率就不高，似乎這個(gè)功率段用反激來做不怎么占優(yōu)勢(shì)

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2296180

LV.1

2014-05-10 10:22

@daihui713

看著帖子快要沉了，自己來頂一個(gè)。方案搭配：昂寶6563+2203，磁芯搭配：PQ2620+PQ3230本身反激的效率就不高，似乎這個(gè)功率段用反激來做不怎么占優(yōu)勢(shì)

QR模式的傳導(dǎo)難過，電源結(jié)構(gòu)沒問題，主要是變壓器。你Y電容加得太大了，可試著把Y電容減小再測(cè)試看下和現(xiàn)在加大后Y有多大區(qū)別，如區(qū)別不大那就是變壓器的繞制方式問題。

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daihui713

LV.6

2014-05-10 21:11

@2296180

變壓器：初—屏蔽繞組—次—反饋繞組—初，

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DJ129321

LV.3

2014-05-11 22:39

@daihui713

有同感，先開啟PWM再啟動(dòng)PFC這樣的過程產(chǎn)生音頻。反饋部分用LM258+431非常難調(diào)！！

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daihui713

LV.6

2014-05-12 08:59

個(gè)人認(rèn)為：

QR的滿載選擇第一個(gè)接近零的谷底ZVS，此時(shí)如果LP電流為零的話，將會(huì)同時(shí)出現(xiàn)接近零ZVS和ZCS。此時(shí)損耗和干擾最小。如果負(fù)載越小，系統(tǒng)降頻，Toff增大，就會(huì)依次選擇第二個(gè) 第三個(gè)谷底ZVS，由于是在LP退磁完并延時(shí)之后的ZVS，此時(shí)LP的電流早已恢復(fù)到零狀態(tài)，所以此時(shí)可能就是DCM的模式，

由于我在退磁繞組檢測(cè)腳DEM對(duì)地并了一個(gè)小電容，延時(shí)谷底檢測(cè)，導(dǎo)致滿載時(shí)并未在第一個(gè)谷底ZVS，所以效率和EMI可能會(huì)稍稍差點(diǎn)，

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daihui713

LV.6

2014-05-12 09:37

@DJ129321

有同感，先開啟PWM再啟動(dòng)PFC這樣的過程產(chǎn)生音頻。反饋部分用LM258+431非常難調(diào)！！

你還用工業(yè)級(jí)的，可以試試AP4310，蠻好的

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jaunt

LV.4

2014-05-13 16:13

@daihui713

變壓器的感量變化一下，把該頻點(diǎn)向后跳一下。

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daihui713

LV.6

2014-05-13 18:10

@jaunt

變壓器的感量變化一下，把該頻點(diǎn)向后跳一下。

嗯回頭試試，多謝。目前開關(guān)頻率70K

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DJ129321

LV.3

2014-05-13 23:08

@daihui713

個(gè)人認(rèn)為： QR的滿載選擇第一個(gè)接近零的谷底ZVS，此時(shí)如果LP電流為零的話，將會(huì)同時(shí)出現(xiàn)接近零ZVS和ZCS。此時(shí)損耗和干擾最小。如果負(fù)載越小，系統(tǒng)降頻，Toff增大，就會(huì)依次選擇第二個(gè)第三個(gè)谷底ZVS，由于是在LP退磁完并延時(shí)之后的ZVS，此時(shí)LP的電流早已恢復(fù)到零狀態(tài)，所以此時(shí)可能就是DCM的模式，由于我在退磁繞組檢測(cè)腳DEM對(duì)地并了一個(gè)小電容，延時(shí)谷底檢測(cè)，導(dǎo)致滿載時(shí)并未在第一個(gè)谷底ZVS，所以效率和EMI可能會(huì)稍稍差點(diǎn)，

DEM對(duì)地接小電容主要考慮負(fù)壓的影響？

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