為了回答上面的幾個問題,首先有必要講一下單級PFC的基本原理。臨界模式的單級PFC最早應該是由L6562這顆PFC控制芯片改進得來的,先給出一個框圖描述L6562用于單級PFC的基本結構和外圍電路,定性分析工作原理。
先撇開PFC部分的功能,這個框圖和普通的定頻峰值電流控制模式反激式電路的區別在于沒有固定的時鐘信號,開關管開啟,初級電感電流上升到Rs上壓降達到乘法器輸出電壓時,RS觸發器翻轉,開關管關斷。對于定頻PWM控制IC,開關管的導通受固定頻率時鐘信號控制,而L6562則會一直等到磁芯完成退磁,ZCD檢測到輔助繞組電壓回落到Vref-2時才重新開啟開關管,因此電路被強制工作在臨界模式下。
再來看PFC功能。乘法器的輸入分別來自誤差放大器的輸出和整流后饅頭狀正弦半波的分壓,因此乘法器輸出也是饅頭狀正弦半波,那么最終初級電感電流峰值也就跟隨饅頭狀正弦半波,下面這個圖可以說明問題。
這個圖中可以得到很多信息,首先是,跟隨線電壓半波的是初級電感峰值電流,而輸入平均電流和初級電感峰值電流的關系為Iin-avg=Ipk*D/2,由于D是一個隨線電壓瞬時值升高而降低的變量,因此輸入電感的平均電流較標準正弦半波而言要更加扁,功率因素不可能達到理想的1。那么怎樣提高功率因素呢?
我們再看,反激式電路中D的表達式為:D=Vor/(Vor+Vin),Vor是反射電壓,Vin是輸入電壓。單級PFC中,Vor=n*(Vo+Vd)基本可認為是不變的,而Vin是隨著線電壓相角變化的,為了提高PF,必須減弱D隨線電壓變化的程度,那唯一的辦法就是增大Vor,當Vor大到一定程度時,Vin從零變化到線電壓峰值,D基本可認為不變了,那么功率因素就近似為1了。
通過以上的分析,應該已經完全解釋了帖子開始提出的問題2。在工程設計中,對于全電壓情況下,通常的設計使得110V下的功率因素可以很容易超過0.98,但到了265V的時候,通常只有0.9左右了,針對這個問題,可以說,基本是沒有辦法的,進一步提高匝比,或者說是反射電壓,肯定可以進一步改善,但是MOS管的耐壓就要進一步提高了,此外,過高的反射電壓會導致另一個問題。這個問題就是,當反射電壓明顯大于輸入電壓時,變換器如果在斷續工作模式(包括準諧振),那么退磁完成進入自由振蕩后,MOS管的漏極會出現負壓,導致MOS管的體二極管導通,效率顯著降低了。