頭一次接觸逆變，開始前級閉環，MOS波形振蕩，發熱，效率不高等問題，泡了很久論壇，吸取了大家很多經驗，采用TL494+8010，前級開環的方案基本調試完成，效率85%以上，60W，輸出110AC，但是問題又來了，輸入電壓12V-25V，比較寬，前級開環，母線電壓變化比較大，造成后級MOS管采樣電阻上電壓不準確，過流保護在輸入電壓不同的時候也就不準確了。
現在想請教各位大師，如果前級改回閉環，增加續流電感，可否解決MOS波形振蕩的問題并保證效率？下面幾個是當時MOS的電壓電流波形，振蕩的很厲害，沒有解決，遂改為開環。請大師幫忙分析下原因，指明方向！
如果前級閉環，EGS002后級的電壓反饋VFB可否不用，這樣有沒有好處？
項目緊急，希望大師解救！實時關注，希望大師指點一二！
目前已改為閉環，在鐘工的指導下，調整了RC，電解等，目前效率85%左右，還可以接受，但是隨之而來的是閉環以后輸入電壓抖動劇烈，最嚴重的時候PP=1V左右，而且好像和輸入電壓不成比例，最大電壓和最小電壓輸入時反而不大，很是迷惑，輸入紋波太大肯定對電池不好啊，請問大家有沒有好的經驗分享一下。
