我做實驗,當開關頻率升高到800kHz后,MOS管的開關損耗大發熱嚴重,當開關頻率降低到100kHz-200kHz范圍,MOS管發熱可以接受。
我想問現階段,開關電源的頻率選擇多少kHz的較多,按照頻率越高器件可以選擇小的理論,如何去妥協發熱和體積?
我做實驗,當開關頻率升高到800kHz后,MOS管的開關損耗大發熱嚴重,當開關頻率降低到100kHz-200kHz范圍,MOS管發熱可以接受。
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