驅動的疑惑

LV.10

2013-12-02 16:47

幫忙解釋下為什么后面的圖比前面的圖MOS溫升高？黃色是驅動電阻前藍色是驅動電阻后面（MOS的G級）波形

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LV.10

2013-12-03 08:49

@冰上鴨子

幫忙解釋下為什么后面的圖比前面的圖MOS溫升高？黃色是驅動電阻前藍色是驅動電阻后面（MOS的G級）波形

掉下去了大家幫忙分析下

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gowithwind

LV.3

2013-12-03 10:17

@冰上鴨子

幫忙解釋下為什么后面的圖比前面的圖MOS溫升高？黃色是驅動電阻前藍色是驅動電阻后面（MOS的G級）波形

你的門級驅動電阻怎么選的，貌似下圖的大些啊。

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sinican

LV.8

2013-12-03 10:27

MOS 的導通與 Qg 是有關的，你所看到的驅動上升波形實質上也是一個給 Qg 充電的過程

Qg 充至某點時， MOS 才會呈開關態，某點以下就處于線性區；同樣放電也一樣

從驅動波形看， Qg 的充電過程當中，后者沒有順暢的提升; 或者說驅動電阻有些大或驅動波形不穩

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LV.7

2013-12-03 10:32

按理講，是不是下圖的MOS交叉耗熱應該比上圖小才對？

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LV.10

2013-12-03 10:51

@gowithwind

你的門級驅動電阻怎么選的，貌似下圖的大些啊。

上圖驅動22歐姆下圖10歐姆

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LV.9

2013-12-03 10:51

@冰上鴨子

幫忙解釋下為什么后面的圖比前面的圖MOS溫升高？黃色是驅動電阻前藍色是驅動電阻后面（MOS的G級）波形

應該把關斷的波形也抓出來，才能分析；

也許第2個關斷時波形不好

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LV.10

2013-12-03 10:56

@sinican

MOS的導通與Qg是有關的，你所看到的驅動上升波形實質上也是一個給Qg充電的過程Qg充至某點時，MOS才會呈開關態，某點以下就處于線性區；同樣放電也一樣從驅動波形看，Qg的充電過程當中，后者沒有順暢的提升;或者說驅動電阻有些大或驅動波形不穩

我怎么看安原理講，驅動陡峭有利于MOS的開通，開關損耗小，但是我實測驅動電阻10的比22的MOS溫升還高，就是不理解為什么

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LV.10

2013-12-03 10:56

@問問達達

按理講，是不是下圖的MOS交叉耗熱應該比上圖小才對？

我也是這么想的所以疑惑

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LV.7

2013-12-03 10:58

@冰上鴨子

我也是這么想的所以疑惑

會不會與DS回路的什么東西有關？

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rj44444

2013-12-03 11:07

兩個圖的第一個上升時間和平臺時間的總長看不出太明顯的區別，是不是IC驅動能力限制導致改變這個驅動電阻收效甚微

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LV.10

2013-12-03 11:09

@jianyedin

應該把關斷的波形也抓出來，才能分析；也許第2個關斷時波形不好

關斷 10也比22的好空了我去抓下

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LV.10

2013-12-03 11:11

@rj44444

兩個圖的第一個上升時間和平臺時間的總長看不出太明顯的區別，是不是IC驅動能力限制導致改變這個驅動電阻收效甚微

芯片是BCD的3842 這我都沒想到驅動能力的問題，照理3842驅動8N60不能存在驅動不足啊

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LV.9

2013-12-03 11:12

@rj44444

兩個圖的第一個上升時間和平臺時間的總長看不出太明顯的區別，是不是IC驅動能力限制導致改變這個驅動電阻收效甚微

關鍵是看關斷，關斷的速度比開通的速度要慢；開通太快有時會引起關斷時振蕩

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LV.10

2013-12-03 11:13

@jianyedin

關鍵是看關斷，關斷的速度比開通的速度要慢；開通太快有時會引起關斷時振蕩

下午回來再去抓下關斷波形

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LV.7

2013-12-03 11:15

@jianyedin

關鍵是看關斷，關斷的速度比開通的速度要慢；開通太快有時會引起關斷時振蕩

改變柵極串聯電阻，開通和關斷時間是不是會同時變大或變小？

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rj44444

2013-12-03 11:16

@冰上鴨子

芯片是BCD的3842 這我都沒想到驅動能力的問題，照理3842驅動8N60不能存在驅動不足啊

是的，3842不存在

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LV.9

2013-12-03 11:17

@冰上鴨子

芯片是BCD的3842 這我都沒想到驅動能力的問題，照理3842驅動8N60不能存在驅動不足啊

看波形，驅動是夠的，不存在驅動不足

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sinican

LV.8

2013-12-03 11:27

@冰上鴨子

我怎么看安原理講，驅動陡峭有利于MOS的開通，開關損耗小，但是我實測驅動電阻10的比22的MOS溫升還高，就是不理解為什么

MOS 的溫升是開關損耗和導通損耗的集合

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LV.10

2013-12-03 13:22

@問問達達

改變柵極串聯電阻，開通和關斷時間是不是會同時變大或變小？

是同時在變哦還要繼續實驗一定要找到原因

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LV.9

2013-12-03 13:58

@冰上鴨子

是同時在變哦還要繼續實驗一定要找到原因

看關斷也是10歐的好，確實不解；

確定測試條件是一致？

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LV.7

2013-12-03 14:08

@jianyedin

看關斷也是10歐的好，確實不解；確定測試條件是一致？

請問溫升怎么測量？兩種情況下相差多少？

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LV.10

2013-12-03 14:51

@問問達達

請問溫升怎么測量？兩種情況下相差多少？

同等條件，用FULKE17B自帶的溫度探頭高溫膠帶包到MOS上測得

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gowithwind

LV.3

2013-12-03 15:34

@冰上鴨子

是同時在變哦還要繼續實驗一定要找到原因

查了一下書，要考慮MOSFET的門限電壓。一般而言，如果門限電壓大于2V，那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值小一些可以減小開關損耗；如果門限電壓小于2V,那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值大一些好。

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gowithwind

LV.3

2013-12-03 15:38

@gowithwind

談一談MOSFET的溫升。

1,MOSFET的溫升與損耗相關，Fet的損耗包括開關損耗和導通損耗；

2,導通損耗的計算公式Pcond=Idc*Idc*D*Rds(on)---與門級驅動沒有什么關系；

3,所以我們的重點是分析開關損耗，下面我們看看開關損耗的計算公式

A， Psw=1/3*Vds*Idmax*Tcross*Fsw (電阻負載)

B， Psw=Vds*Idmax*Tcross*Fsw (電感負載)

從上面的公式，我們可以看出開關損耗，在Vds,Idmax,Fsw一定的情況下，與電流與電壓的交叉時間 Tcross關系很大(也就是門極驅動)

C, 基本上Tcross由Fet的柵極充、放電時間常數Tg= Rdrive*Cg 和門限電壓Vt來決定---(Cg=Cgs+Cgd,Cg為輸入電容，Rdrive 為驅動電阻)

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