這個用boost肯定可以，升壓比確實比較大，驅動要做好，用mos管應該就可以了，不需要igbt吧，igbt的話，頻率太低，電感會很大

更好的辦法是用推挽

可以的，mos管就能做到

按他要求理論占空比0.84，考慮非線性等因素應該要更高一點，如果給的pwm能>0.95，頻率稍低點，一般mos管延時是ns級的，還是有希望實現的吧？

準備用494做控制IC的，不知道行不行，我也算了一下，這個占空比確實有點大

各位大師都覺得推挽好做一點額，如果輸出電壓做成100V到150V可調的話，電路的反饋有沒有什么問題，用431能不能做到？

請問各問首長，如果我使用兩級BOOST串聯，采用一個IC同時驅動兩級的兩個MOS管，然后第一級因為電流大，使用小電感不顧及紋波，最后再LC濾波會有什么不足嗎？

好處在于在大電流處使用了小電感（第一級BOOST），在小電流時使用了稍大的電感，總得來說會不會磁性材料用得體積更小？

學生問個問題。。。望各位解答。