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反激初級線圈匝數是否越少越好?

輸入電壓范圍170V~250VDC計算出來的初級匝數是100圈,

如果輸入電壓范圍變寬,即最小輸入電壓變低,比如50V,計算出的初級匝數50圈,

這樣我設計的電源不但輸入電壓范圍變寬,而且初級匝數變少。

一定有弊端吧?想不出,請教大家。

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2013-05-03 10:04

Bm=(L*Ip)/(N0*Ae)

初級線圈匝數N0越小,最大磁感應強度Bm越大,磁芯越容易飽和。

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2013-05-03 17:42
@新月GG
Bm=(L*Ip)/(N0*Ae)初級線圈匝數N0越小,最大磁感應強度Bm越大,磁芯越容易飽和。

初級匝數越少,初級電流越大,容易飽和,但是我降低占空比啊

我是根據輸入電壓和磁芯飽和磁通計算出初級匝數

降低輸入電壓,就會減少初級匝數,飽和磁通不變。

所以我不覺得磁芯容易飽和。

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2013-05-03 20:04
@jiangping2007
初級匝數越少,初級電流越大,容易飽和,但是我降低占空比啊我是根據輸入電壓和磁芯飽和磁通計算出初級匝數降低輸入電壓,就會減少初級匝數,飽和磁通不變。所以我不覺得磁芯容易飽和。

IP會增大。。。線徑要變粗。。。

溫度也會上去。。。而且氣隙變小,因為(你的匝數少,那么要保持L不變)。。。

也會導致你的變壓器容易飽和。。

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2013-05-04 08:43
@jiangping2007
初級匝數越少,初級電流越大,容易飽和,但是我降低占空比啊我是根據輸入電壓和磁芯飽和磁通計算出初級匝數降低輸入電壓,就會減少初級匝數,飽和磁通不變。所以我不覺得磁芯容易飽和。

2貼的公式,哪個參數和占空比有關?

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rockyy
LV.6
6
2013-05-04 08:58
@dxsmail
IP會增大。。。線徑要變粗。。。溫度也會上去。。。而且氣隙變小,因為(你的匝數少,那么要保持L不變)。。。也會導致你的變壓器容易飽和。。

師長好,其實我也一直搞不懂,按照你所說的線徑變粗,導線橫截面就變粗,圈數又變少,應該是損耗變小,溫升應該會更好的吧,另外你所說的飽和問題,可以降低變壓器的感量解決,個人覺得還是應該減少初級線圈,不知道這樣分析有沒有問題,請指教,謝謝!

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2013-05-04 09:52
@rockyy
師長好,其實我也一直搞不懂,按照你所說的線徑變粗,導線橫截面就變粗,圈數又變少,應該是損耗變小,溫升應該會更好的吧,另外你所說的飽和問題,可以降低變壓器的感量解決,個人覺得還是應該減少初級線圈,不知道這樣分析有沒有問題,請指教,謝謝!

銅損會變小,由于Bm變大了,所以鐵損會變大。4貼可能是按經驗得出的總損耗變大,溫度上升。

如果保持電感量不變,自然氣隙變小;氣隙變小,自然容易飽和。

如果保持氣隙不變,則電感量減少,這樣的話,峰值電流Ip會上升,自然容易飽和。所以一般設計變壓器,都會根據最大磁感應強度Bm,有個最小原邊繞組N0的計算公式。

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rockyy
LV.6
8
2013-05-04 10:11
@新月GG
2貼的公式,哪個參數和占空比有關?

他的意思是由IPK=2*PIN/(D*VIN)說的吧,想保證初級pk電流不變,輸入電壓降低,從而增加它的占空比吧

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rockyy
LV.6
9
2013-05-04 10:14
@新月GG
銅損會變小,由于Bm變大了,所以鐵損會變大。4貼可能是按經驗得出的總損耗變大,溫度上升。如果保持電感量不變,自然氣隙變小;氣隙變小,自然容易飽和。如果保持氣隙不變,則電感量減少,這樣的話,峰值電流Ip會上升,自然容易飽和。所以一般設計變壓器,都會根據最大磁感應強度Bm,有個最小原邊繞組N0的計算公式。

高手,在銅損和鐵損方面如何來均衡,比如如果變壓器溫升高了,怎么判斷是銅損引起還是鐵損引起的,謝謝!

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2013-05-04 10:47
@rockyy
他的意思是由IPK=2*PIN/(D*VIN)說的吧,想保證初級pk電流不變,輸入電壓降低,從而增加它的占空比吧

3貼說的是減小占空比。

而且沒列出公式,讓偶們費神去猜他的公式。

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2013-05-04 10:53
@rockyy
高手,在銅損和鐵損方面如何來均衡,比如如果變壓器溫升高了,怎么判斷是銅損引起還是鐵損引起的,謝謝!

用兩組溫度測試。。。一組測磁芯溫度,一組測線包溫度。。。。

但正常的設計,就只測磁芯。。。

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2013-05-04 11:04
@dxsmail
IP會增大。。。線徑要變粗。。。溫度也會上去。。。而且氣隙變小,因為(你的匝數少,那么要保持L不變)。。。也會導致你的變壓器容易飽和。。

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btclass
LV.7
13
2013-05-04 11:20

呵呵,我來告訴你真相。如果你100T都沒飽和,那么50T是絕不會飽和的。

受影響的是次級二極管的反壓會更高,給二極管留30%余量就好。

匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環路的設計。

峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會飽和,從一定意義上講會更加安全。


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2013-05-04 20:29
@btclass
呵呵,我來告訴你真相。如果你100T都沒飽和,那么50T是絕不會飽和的。受影響的是次級二極管的反壓會更高,給二極管留30%余量就好。匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環路的設計。峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會飽和,從一定意義上講會更加安全。

謝謝回復,

我覺得您的回復靠譜。

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wwsshh_88
LV.1
15
2013-05-05 13:51
@jiangping2007
謝謝回復,我覺得您的回復靠譜。

誰用過SX60-D12S5武漢盛翔的高溫電源,支一聲。看看效果如何,我們也準備用了。

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2013-05-05 16:18
@新月GG
Bm=(L*Ip)/(N0*Ae)初級線圈匝數N0越小,最大磁感應強度Bm越大,磁芯越容易飽和。

初級線圈匝數越小、峰值磁通密度越大、而磁芯就越容易飽和、磁損也增加,但也不是說匝數越多就越好、銅損也會增加的嘛,還是要取折、大概計算出后根據骨架尺寸選擇銅線線徑

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2013-05-06 08:59
@btclass
呵呵,我來告訴你真相。如果你100T都沒飽和,那么50T是絕不會飽和的。受影響的是次級二極管的反壓會更高,給二極管留30%余量就好。匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環路的設計。峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會飽和,從一定意義上講會更加安全。
無語。。。
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2013-05-06 09:37
@jiangping2007
謝謝回復,我覺得您的回復靠譜。
試試才知道哪種方法靠譜。。。。。。。
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rockyy
LV.6
19
2013-05-06 21:25
@dxsmail
用兩組溫度測試。。。一組測磁芯溫度,一組測線包溫度。。。。但正常的設計,就只測磁芯。。。
恍然大悟,我有見過我們這里工程師這樣測試過,當時覺得應該溫度差不多,畢竟磁芯跟線包是在一起的,現在才明白是測試銅損和磁損
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2013-05-07 08:07
@btclass
呵呵,我來告訴你真相。如果你100T都沒飽和,那么50T是絕不會飽和的。受影響的是次級二極管的反壓會更高,給二極管留30%余量就好。匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環路的設計。峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會飽和,從一定意義上講會更加安全。
低于芯片要求的最少匝數。連啟動都啟動不了。。。。
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2013-05-07 09:31
@btclass
呵呵,我來告訴你真相。如果你100T都沒飽和,那么50T是絕不會飽和的。受影響的是次級二極管的反壓會更高,給二極管留30%余量就好。匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環路的設計。峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會飽和,從一定意義上講會更加安全。

“如果你100T都沒飽和,那么50T是絕不會飽和的”,那照這樣說我10T都沒飽和、那么5T也是絕對不會飽和嗎? 理論大家都 有所了解的  有時還是要經過實踐的

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fastion
LV.1
22
2020-01-09 17:12
@rockyy
師長好,其實我也一直搞不懂,按照你所說的線徑變粗,導線橫截面就變粗,圈數又變少,應該是損耗變小,溫升應該會更好的吧,另外你所說的飽和問題,可以降低變壓器的感量解決,個人覺得還是應該減少初級線圈,不知道這樣分析有沒有問題,請指教,謝謝!

反激式開關電源是利用電感儲能,而非純工頻變壓器主要靠匝數線降升壓,同一磁芯下,線圈匝數少了,電感量會變少,要儲相應功率的電量,電流就是變大了。電流變大,會帶來更多的線損與開關管損耗。

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